JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Korealaisen IBS-tutkimuskeskuksen (Institute for Basic Sciencen) tutkijat ovat kehittäneet ensimmäisen yhdestä materiaalista valmistetun 2kaksulotteisen FETIn eli kenttävaikutustransistorin. Tutkimustyö osoittaa, että uudella menetelmällä voidaan tehdä metalli ja puolijohde samasta materiaalista, jotta voidaan tuottaa kaksiulotteisia fettejä.

Vaikka perinteisiä 3D-fettejä on pienennetty nanomittakaavan ulottuvuuksiin, niin osa atomisidoksista jää vajaiksi ja ne häiritsevät elektronien kulkua kanavassa. Siirtyminen kaksiulotteisiin rakenteisiin ylittää nämä ongelmat ja tuo lisäksi vielä uusia houkuttelevia ominaisuuksia. Kaksiulotteisissa feteissä kaikki elektronit rajoittuvat luontevasti atomisiin ohutkanaviin.

Lisäksi yhden ja muutamien kerrosten kerroksellisilla 2D-materiaaleilla on laaja valikoima sähköisiä ja viritettäviä optisia ominaisuuksia, atomitason paksuus, mekaaninen joustavuus ja suuret kaistaerot (1 ~ 2 eV).

Suurin ongelma 2D FET -transistoreille on suuri kontaktiresistanssi 2D-puolijohteen ja minkä tahansa liitäntämateriaalin välisellä rajapinnalla. Tätä varten tutkijaryhmä loi tekniikan, jolla voidaan tuottaa 2D-transistorit puolijohteesta ja metallista. Ne on valmistettu samasta kemiallisesta yhdisteestä, molybdeenitelluurista (MoTe2).

Kyseessä on polymorfinen materiaali, eli sitä voidaan käyttää sekä metallina että puolijohteena. Kontaktiresistanssi puolijohteisen ja metallisen MoTe2:n rajapinnassa osoittautui erittäin pieneksi.

Prosessissaan IBS:n tutkijat käyttivät kemiallista höyrysaostusta kerrostusta (CVD) tekniikkaa. Polymorfiaa ohjataan lämpötilalla ja NaCl-höyryllä: 710 asteen lämpötila tuottaa metallia ja 670 asteen puolijohdetta.

On odotettavissa, että tulevaisuudessa olisi mahdollista saavuttaa entistä pienempi kontaktiresistanssi, saavuttaen teoreettisen kvanttirajan, jota pidetään tärkeänä aiheena 2D-materiaalien tutkimuksessa, kun mukaan luetaan myös grafeenin ja siirtymämetallien dikalkogeeni materiaalit.

Veijo Hänninen

Nanobittejä 26.9.2017

Ilmoittaudu mukaan ECF2018-tapahtumaan

ETN järjestää toisen kerran Embedded Conference Finland -tapahtuman. Tällä kertaa aiheina ovat IoT ja tekoäly. Tapahtuma järjestetään Pasilassa 12.huhtikuuta. Luvassa on keynote-puheita, paneelikeskustelu AI:n merkityksestä sekä mielenkiintoisia teknisiä esityksiä.

Kävijöille tapahtuma on ilmainen. Rekisteröidy heti mukaan, sillä paikkoja on rajoitetusti. Mukaan pääset ilmoittautumalla täällä.

Lisätietoja tapahtumasta löytyy osoitteesta www.embeddedconference.fi.

 
 

Data on jo tavaroita arvokkaampaa

Strategisesti ajatellen it:llä ei ole väliä, kirjoitti amerikkalainen Nicolas Carr vuonna 2003 Harvard Business Review’ssä. Seuraavina vuosina yritykset alkoivat ulkoistaa it-järjestelmiään, koska eivät pitäneet sitä ydinliiketoimintanaan. Nyt 15 vuotta myöhemmin tilanne on toinen. Lisäarvo luodaan datalla, joten it on arvokkaampaa kuin koskaan aikaisemmin.

Lue lisää...

Flashilta vaaditaan paljon verkkolaitteissa

Flash-muisti yleistyy tietoliikennelaitteissa, mutta niissä ratkaisulta vaaditaan paljon enemmän kuin yritys- ja kuluttajalaitteiden tallennuksessa: luotettavuutta, laatua ja datan palautusmahdollisuutta.

Lue lisää...
 
ETN_fi Helsinki wants to become the smartest city in the world. See https://t.co/bZTM7Z5JS5 #100lasissa
ETN_fi The 1st ever official roaming groupcall between Finnish VIRVE and Nodnett of Norway. See https://t.co/WryGLaLGkq @erillisverkot
ETN_fi AI democratizes development, says @adhorn at #hacktalks. See https://t.co/AslQeZYSAV
ETN_fi Robots can´t do backflips, right? https://t.co/KtogoRB25R
 
 

ny template