JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Germanium on tehokkaampi puolijohde kuin pii, mutta piin käsittelyn edullisemmat kustannukset antoivat sille aikoinaan etulyöntiaseman elektroniikan perusmateriaalina. Nyt uusi tutkimus esittelee taloudellisen menetelmän germaniumin kiteisen ohutkalvon kasvattamiseksi ja haastaa siten piin ylivaltaa.

- Tämä on ensimmäinen kerta, kun venyttämättömän puolijohteen van der Waals -epitaksiassa on onnistuttu, toteaa tohtorikoulutettava Aaron Littlejohn Rensselaer Polytechnic Institutesta. - Tutkimuksemme löysi kapean ikkunan, hyvin erityisistä olosuhteista, jotka toimivat, hän jatkaa.

Tekniikka tuottaa joustavan germaniumin, joka voidaan poistaa substraatista. Se voisi toimia myös alustana myöhempää lisäaineiden kerryttämistä varten joustaville transistoreille ja aurinkokennoille tai jopa puettaville optoelektroniikalle.

Perinteisesti puolijohdevalmistajat hyödyntävät epitaksiaa puolijohteiden ja niiden kerrosten tuottamiseksi. Täysin yhteensopivat kerrokset tuottavat optimaalisen varauskuljettajien liikkuvuuden. Jos puolijohteen ja substraatin atomiset jaksot eivät aivan täsmää, tavanomainen epitaksia luo vähemmän tehokkaan materiaalin.

Germaniumilla on vain vähän hyviä yhteensopivia sovituksia ja ne, jotka ovat olemassa, kuten galliumarsenidi, ovat kalliita. Ongelman ratkaisemiseksi tutkijat kasvattivat germaniumkalvon kiillealustalle. Tässä materiaalissa atomeilla ei ole kerroksittaisia kemiallisia sidoksia. Kiillekerroksen pinta ei myöskään sisällä riippuvia sidoksia, joten sille kerrostuneella germaniumilla ei ole kemiallisesti sidoksia kiilteen jaksollisuuteen.

Sen sijaan germaniumattomien järjestelyä ohjaavat van der Waalsin voimat eli neutraalien atomien heikot vuorovaikutukset. Tämä mahdollistaa germaniumin kasvavan relaksoituneeksi kalvoksi huolimatta näiden kahden materiaalin erilaisista kiderakenteista (23 prosentin ero atomiväleissä).

- Aiemmat tutkimukset viittasivat siihen, että puhtaita puolijohteita ei voida epitaksisesti kasvattaa kiilteelle käyttäen van der Waals -voimia millään lämpötilalla, mutta olemme nyt osoittaneet toisin, toteaa Littlejohn.

- Nyt ennakoimme, että myös muita ei-kerrostettuja alkuaineita tai seostettuja materiaaleja voidaan kasvattaa kiilteelle van der Waals -epitaksian kautta.

Veijo Hänninen

Nanobittejä 4.12.2017

 
 

LTE-mikroverkot tuovat yhteydet jopa kaivokseen

Erityisesti teollisuuden tarpeisiin sopivat LTE-mikroverkot ovat vähitellen siirtymässä pilottikohteista tuotantokäyttöön. Teknologia tarjoaa teollisuudelle uudenlaisia mahdollisuuksia, hyvää käytettävyyttä ja vahvaa tietoturvaa.

Lue lisää...

Moniydinsuorittimet tulevat lentokoneisiin

Ilmailun turvakriittisissä ohjausjärjestelmissä on aiemmin pitäydytty perinteisiin yhden ytimen prosessoriratkaisuihin. Nyt ilmailualallakin aletaan yleistä kehitystä seuraten siirtyä moniytimisiin suoritinarkkitehtuureihin.

Lue lisää...
 
ETN_fi Älä käytä verkkopankkia julkisilla laitteilla tai wifillä! https://t.co/oghm4QvzPj
ETN_fi Tämän takia Linux ei valtaa työpöytiä https://t.co/GmLMkZ7C1q
ETN_fi The 1st ever ETNdigi is out! Ensimmäinen ETNdigi ilmestyi – lue vankka paketti IoT-tekniikasta https://t.co/AeNPCRgufC
ETN_fi What is Mindsphere IoT by Siemens?. Ilmari Veijola explains at ECF2018. https://t.co/PczsxwpCO4 @SiemensSuomi @ETN_fi
ETN_fi You dont need code to create an Android app. It can be done on Simulink and MATLAB models. See Antti Löytynoja at E… https://t.co/VJzXEfJoOM
 
 

ny template