Samsung kertoo aloittaneen 64-kerroksiseen 3D-rakenteeseen perustuvien V-NAND-piirien volyymituotannon. 256 gigabitin piiri on maailman nopein flash-muisti, joka siirtää dataa prosessorille yhden gigabitin sekuntinopeudella.

Samsung aloitti 256 gigabitin sirujen valmistamisen avainasiakkailleen jo tammikuussa. Piirillä on jo toteutettu sulautettuja muisteja, SSD-levyjä ja ulkoisia muistitikkuja. Samsung on tuomassa nämä markkinoille myöhemmin tänä vuonna.

Samsung kertoo, että tämän yhtiön 4. polven 3D-flashien osuus sen koko NAND-piirien tuotannosta kasvaa yli 50 prosenttiin vuoden loppuun mennessä.

Lukunopeuden lisäksi Samsungin V-NAND-piirien ohjelmointiaika on markkinoiden nopein. 500 mikrosekunnin ohjelmointiaika on nelisen kertaa markkinoilla olevia 10 nanometrin 2D-pohjaisia NAND-piirejä nopeampi. Verrattuna Samsungin edelliseen 48-kerroksiseen V-NAND-tekniikkaa ohjelmointi onnistuu 1,5-kertaisella nopeudella.

Samsungin mukaan metallointikerrosten lisääminen flash-piirille kasvattaa valmistuksen teknologiasia haasteita. Esimerkiksi kerrosten läpi kulkevien linjoja saaminen homogeenisiksi pienillä geometrioilla on ollut erityisen vaikeaa. Samsung onkin patentoinut V-NAND-prosessiaan yli 500 patentilla.