
Kaupalliset galliumnitridin tehopiirit eivät pysty käsittelemään yli 600 voltin jännitteitä, mikä rajoittaa niiden käytön kulutuselektroniikkaan. IEEE:n International Electron Devices Meeting k-okouksessa MIT:n, IQE:n, Columbia Universityn, IBM:n ja Singapore-MIT Alliance for Research and Technologyn tutkijat esittivät uuden suunnitteluratkaisun, joka testeissä mahdollisti galliumnitridisten tehopiirin kytkevän 1200 voltin jännitteitä.