JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Aalto-yliopiston tutkijat ovat selvittäneet yhteistyössä Okmeticin ja puolalaisen ITME:n kanssa puolijohdeteollisuudessa erilaisten mikroelektroniikan komponenttien alustana käytetyn SOI-kiekon (Silicon On Insulator) soveltamista galliumnitridi-kiteiden valmistusalustaksi. Tulosten mukaan SOI-rakenne parantaa tehoelektroniikan suorituskykyä.

Tutkijat vertailivat SOI-kiekon ominaisuuksia puolijohdekiteiden valmistuksessa yleisemmin käytössä olevaan piikiekkoon. Okmetic valmistaa korkean suorituskyvyn piikiekkojen lisäksi myös SOI-kiekkoja, joissa kahden piikerroksen välissä on piidioksidi-eristekerros. SOI-tekniikan tavoitteena on parantaa kiekon kapasitiivisia ja eristäviä ominaisuuksia.

- Käytimme standardisoitua valmistusmallia, kun vertailimme kiekkojen ominaisuuksia. SOI-kiekolla saimme valmistettua parempaa kidelaatua kuin piikiekolla. Lisäksi SOI-kiekossa oleva eristävä kerros parantaa läpilyöntikestävyyttä eli mahdollistaa selvästi korkeampien jännitteiden käytön tehoelektroniikassa, sanoo tohtorikoulutettava Jori Lemettinen Elektroniikan ja nanotekniikan laitokselta.

- Galliumnitridi-pohjaiset (GaN) komponentit ovat yleistymässä teho- ja radioelektroniikan sovelluksissa. GaN-sovellusten suorituskykyä voidaan parantaa, kun puolijohdekiteiden valmistusalustana käytetään SOI-kiekkoa, akatemiatutkija Sami Suihkonen lisää.

Galliumnitridin valmistaminen piikerroksen päälle on haasteellista. Standardisoidussa valmistusmallissa (MOVPE) käytettävillä yhdistepuolijohdemateriaaleilla alumiininitridillä, alumiinigalliumnitridillä ja galliumnitridillä on erilaiset lämpölaajenemiskertoimet ja hilavakiot kuin piikiekolla. Nämä erot ominaisuuksissa rajoittavat saavutettavaa kidelaatua ja valmistetun kerroksen suurinta mahdollista paksuutta.

- Tutkimus osoitti, että SOI-kiekon kerrosrakenne voi joustaa galliumnitridi-kerroksen valmistuksen aikana ja siten vähentää kidevirheitä sekä jännitystä”, Lemettinen toteaa.

GaN eli galliumnitridi-pohjaisia komponentteja käytetään yleisesti sinisissä ja valkoisissa ledeissä. Tehoelektroniikan sovelluksissa erityisesti GaN-diodit ja -transistorit ovat herättäneet kiinnostusta esimerkiksi taajuusmuuttajissa tai sähköautoissa. Radioelektroniikan sovelluksissa 5G-verkkojen tukiasemien uskotaan käyttävän tulevaisuudessa GaN-pohjaisia tehovahvistimia. Elektroniikan sovelluksissa GaN-transistori tarjoaa matalan resistanssin ja mahdollistaa korkeat taajuudet sekä tehotiheydet.

 
 

Tekoäly mullistaa seuraavaksi kuvantunnistuksen yrityskäytössä

Älykäs karttapalvelu, joka ohjaa kiertämään ruuhkat ja tietyöt, on meille jo itsestäänselvyys. Viime vuoden lopulla tekoälyn avulla toteutettu Google Translate -käännöspalvelun uudistus oli puolestaan huima loikka, jonka myötä suomenkielistenkin tekstien kääntäminen alkaa jo tuottaa hämmentävän laadukkaita lopputuloksia. Jopa reaaliaikainen kääntäminen suoraan korvakuulokkeisiin on nyt mahdollista.

Lue lisää...

Digitalisointi etenee tehomuuntimiin

Monimutkaisen ja tehosyöpön tietotekniikan energiatehokkuutta pitää vielä parantaa, jotta asiakkaiden vaatimukset järjestelmien kustannustehokkuudesta ja ympäristövaikutuksista voidaan täyttää. Digitaalisesti toimivat tehomuuntimet ovat tärkeä osa näitä ratkaisuja.

Lue lisää...
 
ETN_fi Wifi-verkkojen WPA2-salaus murrettu. https://t.co/NO8bmrjyAp @viest_virasto
15hreplyretweetfavorite
ETN_fi Huawei Mate 10 is not a smart phone. It is an intelligent machine. https://t.co/MbW3ec5Sje @HuaweiMobileFI
15hreplyretweetfavorite
ETN_fi Huawei lanseeraa Mate 10- huippumallin Münchenissä. Kiinalaisvalmistajan ensimmäinen malli, joka hyödyntää paikalli… https://t.co/5RPybKzmd2
ETN_fi Teollisuus 4.0! Lopulta kaikki anturidata menee pilveen. https://t.co/9kYbKv9RPK … @SICK_Oy @Teknologiamessu
ETN_fi .@Teknologia17 ylsi ennätyslukuihin, mutta mietittävääkin on. https://t.co/solqTGVWEB
 
 

ny template