JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

logotypen

Aalto-yliopiston tutkijat ovat selvittäneet yhteistyössä Okmeticin ja puolalaisen ITME:n kanssa puolijohdeteollisuudessa erilaisten mikroelektroniikan komponenttien alustana käytetyn SOI-kiekon (Silicon On Insulator) soveltamista galliumnitridi-kiteiden valmistusalustaksi. Tulosten mukaan SOI-rakenne parantaa tehoelektroniikan suorituskykyä.

Tutkijat vertailivat SOI-kiekon ominaisuuksia puolijohdekiteiden valmistuksessa yleisemmin käytössä olevaan piikiekkoon. Okmetic valmistaa korkean suorituskyvyn piikiekkojen lisäksi myös SOI-kiekkoja, joissa kahden piikerroksen välissä on piidioksidi-eristekerros. SOI-tekniikan tavoitteena on parantaa kiekon kapasitiivisia ja eristäviä ominaisuuksia.

- Käytimme standardisoitua valmistusmallia, kun vertailimme kiekkojen ominaisuuksia. SOI-kiekolla saimme valmistettua parempaa kidelaatua kuin piikiekolla. Lisäksi SOI-kiekossa oleva eristävä kerros parantaa läpilyöntikestävyyttä eli mahdollistaa selvästi korkeampien jännitteiden käytön tehoelektroniikassa, sanoo tohtorikoulutettava Jori Lemettinen Elektroniikan ja nanotekniikan laitokselta.

- Galliumnitridi-pohjaiset (GaN) komponentit ovat yleistymässä teho- ja radioelektroniikan sovelluksissa. GaN-sovellusten suorituskykyä voidaan parantaa, kun puolijohdekiteiden valmistusalustana käytetään SOI-kiekkoa, akatemiatutkija Sami Suihkonen lisää.

Galliumnitridin valmistaminen piikerroksen päälle on haasteellista. Standardisoidussa valmistusmallissa (MOVPE) käytettävillä yhdistepuolijohdemateriaaleilla alumiininitridillä, alumiinigalliumnitridillä ja galliumnitridillä on erilaiset lämpölaajenemiskertoimet ja hilavakiot kuin piikiekolla. Nämä erot ominaisuuksissa rajoittavat saavutettavaa kidelaatua ja valmistetun kerroksen suurinta mahdollista paksuutta.

- Tutkimus osoitti, että SOI-kiekon kerrosrakenne voi joustaa galliumnitridi-kerroksen valmistuksen aikana ja siten vähentää kidevirheitä sekä jännitystä”, Lemettinen toteaa.

GaN eli galliumnitridi-pohjaisia komponentteja käytetään yleisesti sinisissä ja valkoisissa ledeissä. Tehoelektroniikan sovelluksissa erityisesti GaN-diodit ja -transistorit ovat herättäneet kiinnostusta esimerkiksi taajuusmuuttajissa tai sähköautoissa. Radioelektroniikan sovelluksissa 5G-verkkojen tukiasemien uskotaan käyttävän tulevaisuudessa GaN-pohjaisia tehovahvistimia. Elektroniikan sovelluksissa GaN-transistori tarjoaa matalan resistanssin ja mahdollistaa korkeat taajuudet sekä tehotiheydet.

Tämä on seuraava askel piiritekniikassa: eFPGA

On selvää, että puolijohdealalla keskitytään vihdoin kasvavaan valikoimaan teknologioita, jotka prosessigeometrian kutistamisen sijaan katsovat uusia järjestelmäarkkitehtuureita ja käytettävissä olevan piin parempaa käyttöä uusien piiri- laite- ja kotelointisuunnittelun konseptien kautta. Kun astumme uudelle aikakaudelle, seuraava looginen askel näyttää olevan FPGA-piirin ja prosessorin eli CPU:n yhdistäminen: sulautettu FPGA.

Lue lisää...

Uusi LabVIEW tekee mahdottomasta mahdollista

Ohjelmisto ratkaisee järjestelmien tehokkuuden myös mittauksessa ja testauksessa. NI:n uusi LabVIEW NXG on ympäristö, jossa monia toimintoja voidaan tehdä ilman ohjelmointia.

Lue lisää...
 
ETN_fi Smartphone OS shares? See the graph from Kantar. https://t.co/ZUuDBJrO52
ETN_fi Wanna know what Linus Torvalds thinks about all kind of gadgets? Well, now you can by reading his Google+ page: https://t.co/M0O7texu0V
ETN_fi @OfficeInsider When will Outlook 2016 for Mac support Google calendar?
ETN_fi RT @Kwikman: World's first autonomous maritime ecosystem, Sauli Eloranta Rolls-Royce #ddayfi #RebootFinland https://t.co/DopdH7pzQ3
ETN_fi RT @Kwikman: Invitation to build world's first level 5 self driving system #ddayfi #RebootFinland https://t.co/CueAUztf0m
 

ny template