JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

logotypen

Aalto-yliopiston tutkijat ovat selvittäneet yhteistyössä Okmeticin ja puolalaisen ITME:n kanssa puolijohdeteollisuudessa erilaisten mikroelektroniikan komponenttien alustana käytetyn SOI-kiekon (Silicon On Insulator) soveltamista galliumnitridi-kiteiden valmistusalustaksi. Tulosten mukaan SOI-rakenne parantaa tehoelektroniikan suorituskykyä.

Tutkijat vertailivat SOI-kiekon ominaisuuksia puolijohdekiteiden valmistuksessa yleisemmin käytössä olevaan piikiekkoon. Okmetic valmistaa korkean suorituskyvyn piikiekkojen lisäksi myös SOI-kiekkoja, joissa kahden piikerroksen välissä on piidioksidi-eristekerros. SOI-tekniikan tavoitteena on parantaa kiekon kapasitiivisia ja eristäviä ominaisuuksia.

- Käytimme standardisoitua valmistusmallia, kun vertailimme kiekkojen ominaisuuksia. SOI-kiekolla saimme valmistettua parempaa kidelaatua kuin piikiekolla. Lisäksi SOI-kiekossa oleva eristävä kerros parantaa läpilyöntikestävyyttä eli mahdollistaa selvästi korkeampien jännitteiden käytön tehoelektroniikassa, sanoo tohtorikoulutettava Jori Lemettinen Elektroniikan ja nanotekniikan laitokselta.

- Galliumnitridi-pohjaiset (GaN) komponentit ovat yleistymässä teho- ja radioelektroniikan sovelluksissa. GaN-sovellusten suorituskykyä voidaan parantaa, kun puolijohdekiteiden valmistusalustana käytetään SOI-kiekkoa, akatemiatutkija Sami Suihkonen lisää.

Galliumnitridin valmistaminen piikerroksen päälle on haasteellista. Standardisoidussa valmistusmallissa (MOVPE) käytettävillä yhdistepuolijohdemateriaaleilla alumiininitridillä, alumiinigalliumnitridillä ja galliumnitridillä on erilaiset lämpölaajenemiskertoimet ja hilavakiot kuin piikiekolla. Nämä erot ominaisuuksissa rajoittavat saavutettavaa kidelaatua ja valmistetun kerroksen suurinta mahdollista paksuutta.

- Tutkimus osoitti, että SOI-kiekon kerrosrakenne voi joustaa galliumnitridi-kerroksen valmistuksen aikana ja siten vähentää kidevirheitä sekä jännitystä”, Lemettinen toteaa.

GaN eli galliumnitridi-pohjaisia komponentteja käytetään yleisesti sinisissä ja valkoisissa ledeissä. Tehoelektroniikan sovelluksissa erityisesti GaN-diodit ja -transistorit ovat herättäneet kiinnostusta esimerkiksi taajuusmuuttajissa tai sähköautoissa. Radioelektroniikan sovelluksissa 5G-verkkojen tukiasemien uskotaan käyttävän tulevaisuudessa GaN-pohjaisia tehovahvistimia. Elektroniikan sovelluksissa GaN-transistori tarjoaa matalan resistanssin ja mahdollistaa korkeat taajuudet sekä tehotiheydet.

Kuinka pysäyttää tappajarobotit?

Kun autonomisista autoista tulee todellisuutta ja eri puolilla maailmaa testataan robottiautoja, yhä useampi alkaa kysyä etiikkaan ja vastuuseen liittyviä kysymyksiä. Suunnittelijat ovat kuitenkin painineet eettisten ongelmien kanssa jo vuosia osana tekniikan kehitystä.

Lue lisää...

Suojaus kannattaa aina tehdä raudalla

Kaikki alkaa luottamuksesta, kuului aikoinaan saksalaisen pankin mainosslogan. Mitä arvokkaampaa data on tai mitä monimutkaisempi järjestelmä on, sitä vaikeampi luottamus on varmistaa. Sama pätee sulautettuihin järjestelmiin.

Lue lisää...
 
ETN_fi Abloy Focus Forum: Hybrid operations is the new normal. Aapo Cederberg. #cip #focusforum https://t.co/Tt7nJMCbOK
ETN_fi Facebookilla on jo 2 miljardia aktiivista kk-käyttäjää. Q1:llä yhtiö teki 8 miljardin myynnillä 3 Mrd voittoa. https://t.co/nTw7HGx6gA
ETN_fi DIMECC on julkaissut kaksi opaskirjaa ohjelmistoyrityksille parhaista käytännöistä. Ks. https://t.co/m6VgKCJ19e
ETN_fi Embedded World avasi ovensa tänään. ETN uutisoi messuilla laajasti. https://t.co/LoXBmMsTe7
ETN_fi Mikropiirien myynti kasvoi tammikuussa 14 prosenttia. SIA:n mukaan kasvu on nopeinta kuuteen vuoteen. https://t.co/0DeApXU868
 

ny template