JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

logotypen

Aalto-yliopiston tutkijat ovat selvittäneet yhteistyössä Okmeticin ja puolalaisen ITME:n kanssa puolijohdeteollisuudessa erilaisten mikroelektroniikan komponenttien alustana käytetyn SOI-kiekon (Silicon On Insulator) soveltamista galliumnitridi-kiteiden valmistusalustaksi. Tulosten mukaan SOI-rakenne parantaa tehoelektroniikan suorituskykyä.

Tutkijat vertailivat SOI-kiekon ominaisuuksia puolijohdekiteiden valmistuksessa yleisemmin käytössä olevaan piikiekkoon. Okmetic valmistaa korkean suorituskyvyn piikiekkojen lisäksi myös SOI-kiekkoja, joissa kahden piikerroksen välissä on piidioksidi-eristekerros. SOI-tekniikan tavoitteena on parantaa kiekon kapasitiivisia ja eristäviä ominaisuuksia.

- Käytimme standardisoitua valmistusmallia, kun vertailimme kiekkojen ominaisuuksia. SOI-kiekolla saimme valmistettua parempaa kidelaatua kuin piikiekolla. Lisäksi SOI-kiekossa oleva eristävä kerros parantaa läpilyöntikestävyyttä eli mahdollistaa selvästi korkeampien jännitteiden käytön tehoelektroniikassa, sanoo tohtorikoulutettava Jori Lemettinen Elektroniikan ja nanotekniikan laitokselta.

- Galliumnitridi-pohjaiset (GaN) komponentit ovat yleistymässä teho- ja radioelektroniikan sovelluksissa. GaN-sovellusten suorituskykyä voidaan parantaa, kun puolijohdekiteiden valmistusalustana käytetään SOI-kiekkoa, akatemiatutkija Sami Suihkonen lisää.

Galliumnitridin valmistaminen piikerroksen päälle on haasteellista. Standardisoidussa valmistusmallissa (MOVPE) käytettävillä yhdistepuolijohdemateriaaleilla alumiininitridillä, alumiinigalliumnitridillä ja galliumnitridillä on erilaiset lämpölaajenemiskertoimet ja hilavakiot kuin piikiekolla. Nämä erot ominaisuuksissa rajoittavat saavutettavaa kidelaatua ja valmistetun kerroksen suurinta mahdollista paksuutta.

- Tutkimus osoitti, että SOI-kiekon kerrosrakenne voi joustaa galliumnitridi-kerroksen valmistuksen aikana ja siten vähentää kidevirheitä sekä jännitystä”, Lemettinen toteaa.

GaN eli galliumnitridi-pohjaisia komponentteja käytetään yleisesti sinisissä ja valkoisissa ledeissä. Tehoelektroniikan sovelluksissa erityisesti GaN-diodit ja -transistorit ovat herättäneet kiinnostusta esimerkiksi taajuusmuuttajissa tai sähköautoissa. Radioelektroniikan sovelluksissa 5G-verkkojen tukiasemien uskotaan käyttävän tulevaisuudessa GaN-pohjaisia tehovahvistimia. Elektroniikan sovelluksissa GaN-transistori tarjoaa matalan resistanssin ja mahdollistaa korkeat taajuudet sekä tehotiheydet.

Tiedätkö, mikä on pistotulppa?

Sikaa sanotaan usein töpselikärsäksi, vaikka sähköinsinöörille nimitys on kauhistus: sian kärsähän näyttää pistorasialta, ei töpseliltä. Puhekielessä töpselit ja pistorasiat menevätkin välillä sekaisin, mutta alan oppimateriaalissa, käyttöohjeissa ja toimitetussa mediassa tulisi pyrkiä oikeiden ja täsmällisten termien käyttöön. Pistokytkimiin liittyvistä termeistä on olemassa kansallinen standardi SFS 5805, joka uudistui toukokuussa. Edellinen standardi oli vuodelta 1996.

Lue lisää...

Kuinka älykellon tehopiiri kutistetaan?

Yleisin puettava laite on älykello tai fitnessranneke. Niiden arkkitehtuuriin kuuluu toiminnallisia lohkoja, kuten ympäristön ja biometrinen aistiminen, langaton yhteys ja mikro-ohjain. Tämä on johtanut uuden standardin tehokomponentin, microPMIC-piirin kehittämiseen, joka tuottaa anturien, radioiden ja prosessorin vaatimat erilaiset tehosyötöt. Se säästää aikaa, tilaa ja kustannuksia.

Lue lisää...
 
ETN_fi RT @Kwikman: World's first autonomous maritime ecosystem, Sauli Eloranta Rolls-Royce #ddayfi #RebootFinland https://t.co/DopdH7pzQ3
ETN_fi RT @Kwikman: Invitation to build world's first level 5 self driving system #ddayfi #RebootFinland https://t.co/CueAUztf0m
ETN_fi RT @AutomatedbusFI: Pekka Möttö , CEO of @Tuupapp is explaining how to build #Maas for customers #ddayfi #RebootFinland https://t.co/ZuBrx0
ETN_fi 4K-elokuvaa langattomasti. @latticesemi delivers first #4K UHD wireless video solution in the 60 GHz band. https://t.co/coXt8e30Ju
ETN_fi Ethernet is an old man :). 44 years old to be exact. https://t.co/bLmLWpHiWg
 

ny template