JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Kansainvälinen tutkijaryhmä on luonut timanttimosfetin konseptin, jossa käytetään syvää tyhjennysaluetta tehostamaan positiivisten kantajien liikkuvuutta. Tehokkaampia tehokomponentteja etsitään nyt lavean kaistaneron (wide band gap) puolijohteista. Koska ne ovat huomattavasti energiatehokkaampia, ne ovat nousseet johtaviksi kilpailijoiksi kehitettäessä kenttävaikutustransistoria (FET) seuraavan sukupolven tehoelektroniikalle.

Timantti tunnetaan ideaalisimmaksi materiaaliksi leveän kaistaeron kehityksessä sen ylivoimaisten fyysisten ominaisuuksien ansiosta, jotka mahdollistavat rakenteiden toimivan paljon korkeammissa lämpötiloissa, jännitteissä ja taajuuksilla sekä pienemmillä puolijohdehäviöillä.

Keskeinen haaste on kuitenkin toteuttaa timantin täysi potentiaali metallioksidipuolijohteiden kenttävaikutustransistoreissa (MOSFET) eli lisätä positiivisten kantajien liikkuvuutta kanavassa.

Ranskalaisista, japanilaisista ja Cambridgen yliopiston tutkijoista koostunut ryhmä otti käyttöön uuden lähestymistavan ongelman ratkaisemiseksi käyttämällä booriseostetun timanttimosfetin syvää tyhjennysaluetta.

Uusi konseptisuunnitelma mahdollistaa yksinkertaisten timanttimosfettien rakenteiden tuottamisen yksittäisistä booriseostettujen epitaksikerrosten pinoista. Uusi menetelmä lisää aukkojen liikkuvuutta suuruusluokan verran.

Transistorin on-tila varmistetaan peruskanavan johtumisella booripitoisen timanttiepikerroksen läpi. Off-tila syntyy paksun eristyskerroksen ansiosta, jonka indusoi syvä tyhjennysalue, joka on vakaa vain laajan kaistaeron puolijohteille.

Tutkijat pystyivät osoittamaan, että timantin erityiset ominaisuudet, erityisesti suuri kaistaero ja inversiokerroksen vaimennettu muodostuminen mahdollistaa toiminnan syvässä tyhjennysalueessa.

Kokeiltu konsepti avaa oven vertikaaliselle D2MOSFET -toimivalle konseptille kuten p-kanavaiselle liitosfetille (JFET) ilman n-tyypin kerroksen tarvetta.

Tutkijat aikovat tuottaa näitä rakenteita DiamFab-nimisessä startupissaan.

Veijo Hänninen

Nanobittejä 1.11.2017

 
 

Näin lataat sähköauton turvallisesti kotipistorasiasta

Sähköautoiluun liittyy paljon ennakkoluuloja ja virheellisiä käsityksiä. Yksi näistä liittyy sähköauton lataamiseen: voiko sähköauton ladata tavallisesta kotitalouspistorasiasta, vai pitääkö sähköauton ostajan ehdottomasti ostaa ja asennuttaa erillinen latauslaite? Molempia mielipiteitä esiintyy, ja totuus on tältä väliltä: tavallisesta pistorasiasta voi hyvin ladata, kunhan muistaa muutaman turvallisuusseikan.

Lue lisää...

Räätälöity piiri on usein käytännöllisin

Räätälöidyn tai kustomoidun piirin suunnitteluun liittyy useita sitkeitä myyttejä ja pelkoja, jotka lähes kaikki ovat perusteettomia. Lisäksi tämän suunnittelumenetelmän monia etuja ei ymmärretä kovin hyvin. Tässä artikkelissa perustellaan, miksi sinun pitäisi pohtia räätälöidyn piirin rakentamista myös pienen volyymin projekteissa.

Lue lisää...
 
ETN_fi What is Mindsphere IoT by Siemens?. Ilmari Veijola explains at ECF2018. https://t.co/PczsxwpCO4 @SiemensSuomi @ETN_fi
ETN_fi You dont need code to create an Android app. It can be done on Simulink and MATLAB models. See Antti Löytynoja at E… https://t.co/VJzXEfJoOM
ETN_fi See the @MinimaProcessor presentation at ECF18: https://t.co/m1znHqgj2E
ETN_fi Cut the power in IoT processors. @MinimaProcessor at Embedded Conference Finland 2018.
ETN_fi LTE-broadcast sopii autojen V2X-yhteyksiin. https://t.co/F8IgZpVhis
 
 

ny template