JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Kansainvälinen tutkijaryhmä on luonut timanttimosfetin konseptin, jossa käytetään syvää tyhjennysaluetta tehostamaan positiivisten kantajien liikkuvuutta. Tehokkaampia tehokomponentteja etsitään nyt lavean kaistaneron (wide band gap) puolijohteista. Koska ne ovat huomattavasti energiatehokkaampia, ne ovat nousseet johtaviksi kilpailijoiksi kehitettäessä kenttävaikutustransistoria (FET) seuraavan sukupolven tehoelektroniikalle.

Timantti tunnetaan ideaalisimmaksi materiaaliksi leveän kaistaeron kehityksessä sen ylivoimaisten fyysisten ominaisuuksien ansiosta, jotka mahdollistavat rakenteiden toimivan paljon korkeammissa lämpötiloissa, jännitteissä ja taajuuksilla sekä pienemmillä puolijohdehäviöillä.

Keskeinen haaste on kuitenkin toteuttaa timantin täysi potentiaali metallioksidipuolijohteiden kenttävaikutustransistoreissa (MOSFET) eli lisätä positiivisten kantajien liikkuvuutta kanavassa.

Ranskalaisista, japanilaisista ja Cambridgen yliopiston tutkijoista koostunut ryhmä otti käyttöön uuden lähestymistavan ongelman ratkaisemiseksi käyttämällä booriseostetun timanttimosfetin syvää tyhjennysaluetta.

Uusi konseptisuunnitelma mahdollistaa yksinkertaisten timanttimosfettien rakenteiden tuottamisen yksittäisistä booriseostettujen epitaksikerrosten pinoista. Uusi menetelmä lisää aukkojen liikkuvuutta suuruusluokan verran.

Transistorin on-tila varmistetaan peruskanavan johtumisella booripitoisen timanttiepikerroksen läpi. Off-tila syntyy paksun eristyskerroksen ansiosta, jonka indusoi syvä tyhjennysalue, joka on vakaa vain laajan kaistaeron puolijohteille.

Tutkijat pystyivät osoittamaan, että timantin erityiset ominaisuudet, erityisesti suuri kaistaero ja inversiokerroksen vaimennettu muodostuminen mahdollistaa toiminnan syvässä tyhjennysalueessa.

Kokeiltu konsepti avaa oven vertikaaliselle D2MOSFET -toimivalle konseptille kuten p-kanavaiselle liitosfetille (JFET) ilman n-tyypin kerroksen tarvetta.

Tutkijat aikovat tuottaa näitä rakenteita DiamFab-nimisessä startupissaan.

Veijo Hänninen

Nanobittejä 1.11.2017

Ilmoittaudu mukaan ECF2018-tapahtumaan

ETN järjestää toisen kerran Embedded Conference Finland -tapahtuman. Tällä kertaa aiheina ovat IoT ja tekoäly. Tapahtuma järjestetään Pasilassa 12.huhtikuuta. Luvassa on keynote-puheita, paneelikeskustelu AI:n merkityksestä sekä mielenkiintoisia teknisiä esityksiä.

Kävijöille tapahtuma on ilmainen. Rekisteröidy heti mukaan, sillä paikkoja on rajoitetusti. Mukaan pääset ilmoittautumalla täällä.

Lisätietoja tapahtumasta löytyy osoitteesta www.embeddedconference.fi.

 
 

Data on jo tavaroita arvokkaampaa

Strategisesti ajatellen it:llä ei ole väliä, kirjoitti amerikkalainen Nicolas Carr vuonna 2003 Harvard Business Review’ssä. Seuraavina vuosina yritykset alkoivat ulkoistaa it-järjestelmiään, koska eivät pitäneet sitä ydinliiketoimintanaan. Nyt 15 vuotta myöhemmin tilanne on toinen. Lisäarvo luodaan datalla, joten it on arvokkaampaa kuin koskaan aikaisemmin.

Lue lisää...

Flashilta vaaditaan paljon verkkolaitteissa

Flash-muisti yleistyy tietoliikennelaitteissa, mutta niissä ratkaisulta vaaditaan paljon enemmän kuin yritys- ja kuluttajalaitteiden tallennuksessa: luotettavuutta, laatua ja datan palautusmahdollisuutta.

Lue lisää...
 
ETN_fi Helsinki wants to become the smartest city in the world. See https://t.co/bZTM7Z5JS5 #100lasissa
ETN_fi The 1st ever official roaming groupcall between Finnish VIRVE and Nodnett of Norway. See https://t.co/WryGLaLGkq @erillisverkot
ETN_fi AI democratizes development, says @adhorn at #hacktalks. See https://t.co/AslQeZYSAV
ETN_fi Robots can´t do backflips, right? https://t.co/KtogoRB25R
 
 

ny template