JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Kaupalliset galliumnitridin tehopiirit eivät pysty käsittelemään yli 600 voltin jännitteitä, mikä rajoittaa niiden käytön kulutuselektroniikkaan. IEEE:n International Electron Devices Meeting k-okouksessa MIT:n, IQE:n, Columbia Universityn, IBM:n ja Singapore-MIT Alliance for Research and Technologyn tutkijat esittivät uuden suunnitteluratkaisun, joka testeissä mahdollisti galliumnitridisten tehopiirin kytkevän 1200 voltin jännitteitä.

Sellaisella on jo riittävästi kapasiteettia vaikka sähköautoihin, mutta tutkijat korostavat, että heidän laite on vasta laboratorion prototyyppi. Tutkijat uskovat, että lisätutkimus voi lisätä kapasiteettia 3300-5000 voltin alueelle, jolloin galliumnitridin tehokkuus saadaan myös sähköverkon tehoelektroniikkaan.

Nykyisissä kaupallisissa galliumnitridin tehopiireissä virtaa kuljetetaan ja ohjaillaan materiaalin ohuessa pintakerroksessa. Sen paksuus voi olla vain 50 nanometriä ja myös kaikki lämpö syntyy tällä alueella.

Keskisuurille ja suuritehoisille sovelluksille pystysuorat rakenteet ovat paljon parempia. Niissä virta kulkee puolijohteen läpi pystysuoraan rakenteen läpi, joten lämpöhäviökin on paljon yhtenäisempi. Lisäksi myös tulo- ja lähtöliitännöillä on enemmän tilaa.

Vaikka nämä edut ovat tunnettuja, galliumnitridistä on vaikea valmistaa pystysuoria rakenteita. Ongelmana on tehokkaan sähkökentän tuottavan ohjausportin toteutus taloudellisesti mielekkäällä tavalla.

Nyt tutkijaryhmä sai aikaan yksinkertaisen, mutta tehokkaan vaihtoehdon. He onnistuivat siinä kaventamalla virtaa kuljettavaa rakennetta niin, että enää ei tarvita sisäisiä eristeitä reitittämään virtaa kapealle alueelle.

Kehitetyillä galliumnitriditransistoreilla on yläpinnalla evämäiset ulokkeet, jonka reunan molemmilla puolilla on sähköiset, porttina toimivat kontaktit. Virta siirtyy transistoriin kontaktin kautta, joka on ulokkeen päällä ja poistuu rakenteen pohjasta. Evien kapeus takaa, että hilaelektrodi pystyy vaihtamaan transistorin päälle ja pois päältä.

Veijo Hänninen

Nanobittejä 11.12.2017

 
 

Näin lataat sähköauton turvallisesti kotipistorasiasta

Sähköautoiluun liittyy paljon ennakkoluuloja ja virheellisiä käsityksiä. Yksi näistä liittyy sähköauton lataamiseen: voiko sähköauton ladata tavallisesta kotitalouspistorasiasta, vai pitääkö sähköauton ostajan ehdottomasti ostaa ja asennuttaa erillinen latauslaite? Molempia mielipiteitä esiintyy, ja totuus on tältä väliltä: tavallisesta pistorasiasta voi hyvin ladata, kunhan muistaa muutaman turvallisuusseikan.

Lue lisää...

UPS on tärkeä osa datan tallennusta

Innovatiiviset UPS-suunnittelutekniikat tuovat sekä paremman tehokkuuden että suorituskykyä.

Lue lisää...
 
ETN_fi The 1st ever ETNdigi is out! Ensimmäinen ETNdigi ilmestyi – lue vankka paketti IoT-tekniikasta https://t.co/AeNPCRgufC
ETN_fi What is Mindsphere IoT by Siemens?. Ilmari Veijola explains at ECF2018. https://t.co/PczsxwpCO4 @SiemensSuomi @ETN_fi
ETN_fi You dont need code to create an Android app. It can be done on Simulink and MATLAB models. See Antti Löytynoja at E… https://t.co/VJzXEfJoOM
ETN_fi See the @MinimaProcessor presentation at ECF18: https://t.co/m1znHqgj2E
ETN_fi Cut the power in IoT processors. @MinimaProcessor at Embedded Conference Finland 2018.
 
 

ny template