Tulevia seitsemän nanometrin piirejä ei käytännössä voi valmistaa nykyisillä 193 nanometrin laseria käyttävillä askelvalottimilla. Sen takia valmistuksessa tapahtuu iso murros, kun siirrytään EUV-tekniikan käyttämiseen. Murros tapahtuu jo ensi vuonna.

Samsung kertoo juuri lisänneensä 11 nanometrin FinFET-prosessin yrityksille tarjoamiensa valmistusprosessien joukkoon. Sitä pienempään ei nykylaitteistolla päästä. Onneksi Samsung sanoo, että 7LPP-prosessori (7 nm low power process) on silti aikataulussa.

7 nanometrin piireillä kuviot tullaan piirtämään EUV-tekniikalla eli piirtoviivan aallonpituus on 13,5 nanometriä. Samsung sanoo aloittavansa EUV_tuotannon jo ensi vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.

Yhtiö kertoo valmistaneensa kaikkiaan lähes 200 tuhatta kiekkoa EUV-litografialla vuodesta 2014 lähtien. Tällä hetkellä esimerkiksi 256 megabitin SRAM-piireissä on päästy 80 prosentin saantoon. Neljä viidestä tuotetusta sirusta siis toimii toivotulla tavalla.

Pitää tietenkin muistaa, että EUV-litografiaa tarvtaan vain kaikkein edistyneimpien piirien valmistukseen. Iso osa puolijohdealasta jatkaa vanhemmilla prosesseilla ja tuotantolaitteilla vielä pitkän aikaa.