Sveitsiläisen EPFL:n tutkijat ovat kehittäneet uuden galliumnitriditransistorin, joka kestää jopa 3,5 kilovoltin jännitteen. Uusi rakenne vie GaN-tehoelektroniikkaa selvästi nykyisten kaupallisten 600–650 voltin komponenttien yläpuolelle.

VTT:ltä ponnistanut suomalainen startup S-Transistors kehittää suprajohtavaa transistoria, jonka avulla kvanttitietokoneiden ohjauselektroniikkaa voidaan siirtää lähemmäs itse kvanttiprosessoria. Yhtiö keräsi teknologian kehittämiseen 2,6 miljoonan euron siemenrahoituksen.

Japanilainen Anritsu on tuonut markkinoille 140 gigabaudin lineaarisen vahvistimen, joka on tarkoitettu uuden sukupolven 200 gigabitin optisten siirtokaistojen komponenttien testaukseen. AH15203A/B:n kaistanleveys yltää 125 gigahertsiin.

Tekoälyagentit ovat muuttamassa myös kyberrikollisuutta. Cybernewsin tutkijat löysivät palvelimen, jolla AI-agentti automatisoi lähes koko kiristyshyökkäyksen kohteen tiedustelusta datan varastamiseen ja lunnaiden määrittämiseen. Tekoälyn käyttökustannukset jäivät halvimmillaan 40 senttiin yritystä kohti.

Samsung tuo kannettaviin SSD-asemiin USB4-liitännän. Uusi P9 yltää parhaimmillaan 4 000 megatavun sekuntinopeuteen, eli noin kaksinkertaiseen suorituskykyyn yhtiön aiempaan USB 3.2 Gen 2x2 -asemaan verrattuna.