ETN-UUTISKIRJE MAANANTAINA 29.11.2021
   
DDR7 voi olla 10 kertaa nopeampi kuin nykyiset DRAM-muistit

DRAM-muisti oli pitkään rajoittava tekijä tietokoneiden suorituskyvyssä. Uusien DDR5-muistien tullessa pian markkinoille tilanne helpottaa hieman, mutta vielä enemmän vauhtia keskusmuisteihin on tulossa tulevien DDR6- ja DDR7-tekniikoiden myötä.



Britit kieltävät oletussalasanat

Tutkimustenkin mukaan aivan liian harva muuttaa älylaitteensa oletussanaa. Usein salasanana säilyy esimerkiksi ”admin”. Brittihallitus on säätänyt lain, joka pakottaa käyttäjän asettamaan yksilöllisen salasanan.



Suomalaistekniikka uuden puolijohdekasvun moottori

Kun tulevaisuudessa arvioidaan, mikä suomalainen innovaatio on globaalisti merkittävin, yksi ehdokkaista on ilman muuta Tuomo Suuntolan keksimä atomikerroskasvatus eli ALD. Tutkimuslaitos Yole Developpement on nyt julkistanut ensimmäisen ALD-katsauksensa ja sen mukaan tekniikka on laajenemassa voimakkaasti uusille alueille.



Nokialle 5-vuotinen sopimus Lähi-itään

Nokia ilmoitti tänään, että Ooredoo Group on valinnut sen tuomaan useita teknologioita ja palveluita, mukaan lukien 5G, asiakkaille Lähi-idässä, Pohjois-Afrikassa ja Kaakkois-Aasiassa osana usean maan välistä, viisivuotista sopimusta. Sopimuksen myötä Nokia laajentaa Ooredoon nykyistä verkkoa sekä ottaa käyttöön uusia 5G-palveluita.



Valitse paras artikkeli ja voita Nokia T20

HMD Global julkisti vähän aikaa sitten Nokia T20 -tabletin. Nyt voit saada tämän laitteen omaksesi, sillä arvomme sellaisen joulukuun lukijakisassamme. Riittää, että menet lukemaan uusimman ETNdigi-lehden ja valitset siitä mielestäsi parhaan artikkelin. Postaa valintasi osoitteeseen toimitus@etn.fi ja olet mukana arvonnassa.



Suomalaiset sähköautot latautuvat hitaasti

Sähköteknisen Kaupan Liiton (STK) uusin tilasto kiinteistöihin asennettavien sähköajoneuvojen latauslaitteiden määristä kertoo myynnin jatkuneen tasaisesti noin 10 000 latauspisteen kvartaalivauhdilla. Valtaosa suomalaisautoista latautuu hitaasti peruslatauslaitteilla.



Laajan kaistaeron piirit vievät tehon uudelle tasolle

Tehoelektroniikan suunnittelijat ja komponenttien myyjät ovat innostuneet laajan kaistaeron puolijohdetekniikoista, kuten SiC ja GaN, mutta nämä eivät ole uusia teknologioita. GaN on peräisin 50 vuoden takaa ja piikarbidin käytettiin elektroniikassa jo yli 100 vuotta sitten. Mistä innostus sitten johtuu. Tämä artikkeli selittää teorian laajakaistaisten materiaalien etujen takana, käytetyt valmistustekniikat ja sen, miksi ne sopivat erityisen hyvin ratkaisemaan elektroniikkasuunnittelijoiden nykyisiä haasteita.



Kiitos kun luet ETN-uutiskirjettä! (c) Elektroniktidningen Sverige AB
Ilmoitukset: Anne-Charlotte Sparrvik
Vastaava toimittaja: Veijo Ojanperä
TilaaPeru tilausUnsubscribeMuuta osoitetta • Arkisto: etn.fi/kirje/