San Franciscossa eilen päättyneessä puolijohdetekniikan ISSCC-konferenssissa esiteltiin kymmenittäin uusia mielenkiintoisia sirutekniikoita eri sektoreilta. Yksi mielenkiintoisimmista oli Intelin esittämä NAND-piiri, joka rikkoi aiemmat tiheysennätykset. ISSCC:ssä esitelty piiri on valmistettu 192 metallointikerroksella. Sen kapasiteetti on 1,67 terabittiä, mikä on seurausta viiden bitin tallentamisesta yhteen soluun. Neliömillille dataa sopii näin 23,3 gigabittiä.