Belgialaisessa mikroelektroniikan tutkimuskeskuksessa on kehitetty ohutkalvopiiri, joka aistii einäkyvää valoa tarkasti ja nopeasti. Lisäksi ohutkalvoanturi on paljon CMOS-pohjaisia piirejä edullisempi, mikä avaa mahdollisuuden tuoda esimerkiksi edullisia infrapuna-antureita sekä autojen ADAS-järjestelmiin että erilaisiin kannettaviin laitteisiin.
Galliumnitridin ominaisuudet sopivat erinomaisesti pienten jännitteiden ja maltillisten tehojen tuottamiseen, joten GaN-piirit ovat mullistaneet älypuhelinlatureiden markkinat. Nyt vuorossa ovat kannettavat tietokoneet. Infineon vie GaN-piirinsä läppäreihin yhdessä kiinalaisen latureita valmistavan Chicony Power Technologyn kanssa.
Laajan kaistaeron puolijohteet kuten piikarbidit (SiC) soveltuvat erinomaisesti autoteollisuuden ja uusiutuvan energian moderneihin sovelluksiin. Kun maailma on siirtymässä ympäristön kannalta kestävien energialähteiden käyttöön, on hyötysuhteen merkitys suurempi kuin koskaan.
