
Magneettisia muisteja on kehitetty pitkään erityisesti sulautettujen laitteiden välimuisteihin. Niiltä vaaditaan nopeutta ja pitkää ikää. Belgialainen mikroelektroniikan tutkimuslaitos IMEC esittel IEdM-konferenssissa uuden MRAM-muistin, joka saattaa jopa korvata SRAM-välimuistit. IMEC:n esittelemä tekniikka perustuu elektronien spiniin. Nämä SOT-tyyppiset (spin-orbit torque) muistit toimivat niin, että sähkövirta johdettuna materiaalin läpi voi aiheuttaa vääntömomentin (torque) elektronien magneettisiin momentteihin. Vääntömomentti voi muuttaa näiden magneettisten momenttien suuntaa, mikä voidaan hyödyntää bittien tallentamiseen.