
GaN eli galliumnitridi on vallannut monet tehoelektroniikan markkinat erityisesti pienemmissä jännitteissä ja tehoissa. Infineon alleviivaa nyt tekniikan menestyksen ilmoittamalla, että se on onnistunut kehittämään maailman ensimmäisen 300 millimetrin GaN-kiekkoteknologian.