Tehokomponenttien valmistaja SemiQ on julkistanut uuden sukupolven 1200V SiC MOSFET -komponentin, joka pienentää sirukokoa samalla parantaen kytkentänopeutta ja tehokkuutta. Uusi QSiC 1200V -MOSFET on 20 % pienempi kuin edeltäjänsä, mutta tarjoaa merkittävästi parempaa suorituskykyä suurjännitesovelluksissa. Tämä kuvaa hyvin sitä nopeaa kehitystä, joka piikarbidikomponenteissa on tällä hetkellä käynnissä.