Puolijohdemyynti laski 12 prosenttia muistien takia Tutkimuslaitokset ovat saaneet valmiiksi viime vuoden puolijohdemarkkinoiden lukunsa ja niiden mukaan viime vuosi tarkoitti yrityksille selvästi pienempää jaettavaa kakkua. Gartnerin mukaan puolijohteita myytiin 418,3 miljardilla dollarilla, mikä on 11,9 prosenttia vähemmän kuin edellisvuonna.
Syyllinen pieneen taantumaan on myös selvillä: muistit. Viime vuonna muistipiirien osuus koko puolijohdemarkkinoista oli 26,7 prosenttia. Kun muistien markkinat kutistuivat 31,5 prosenttia edellisvuodesta, painoi kehity koko markkinan miinukselle.
DRAM-muistien myynti pieneni viime vuonna peräti 37,5 prosenttia, vaikka piirejä myytiin kappalemääräisesti enemmän kuin edellisenä vuonna. Niiden keskihinta kuitenkin putosi vuoden aikana 47,7 prosenttia eli lähes puoleen.
Tämä tietenkin heilutti myös yritysten asemia suurimpien valmistajien listalla. Intel ylsi 65,8 miljardin dollarin liikevaihdolla lähes edellisvuoden lukemiin, mutta viime vuonna suurimmaksi jo nousseen Samsungin liikevaihdosta muistit nakersivat 29,1 prosenttia. Samalla se putosi taas selvästi Intelin taakse.
Myös kolmanneksi ja neljänneksi suurimmalle yritykselle viime vuosi oli hankala. SK Hynixin liikevaihto putosi 38 prosenttia 22,5 miljardiin dollariin. Micronin myynnistä lähti 32,6 prosenttia liikevaihdon kutistuessa 20,1 miljardiin dollariin.
Ala kääntyy tässä vuonna kasvuun, ennustaa IC Insights. Sen mukaan raportoidusta 33 puolijohdesektorista kasvua tulee peräti 26:lla. DRAM- ja NAND-muistien markkinat ovat tänä vuonna nopeimmin kasvavat, mikä heiluttaa taas koko markkinoita ja yritysten asemia suurimpien listalla.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
