logotypen
 
 

IN FOCUS

Suojaa datasi kunnolla

SSD-levyt tarjoavat luontaisesti korkean luotettavuuden kaikentyyppisiin sovelluksiin, aina aloitustason kuluttajalaitteista kriittisiin järjestelmiin. Asianmukaiset tietosuojamekanismit voivat maksimoida levyn käyttöiän toteuttamalla ennaltaehkäiseviä toimenpiteitä tarpeen mukaan, kertoo Silicon Motion artikkelissaan.

Lue lisää...

Tehojärjestelmissä puhutaan nyt uusista laajan kaistaeron materiaaleista. Mutta mitä GaN- tai SiC-komponenttien käyttäminen edellyttää ja mihin sillä voidaan päästä? Future Electronicsin tekemä vertailu kertoo paljon.

Perinteinen piipohjainen teho-MOSFET on helposti saatavilla oleva edullinen komponentti, joka on varmasti jatkossakin tehokytkinten perusta vuosien ajan. Suurjännitemuuntimissa sen rajoitukset ovat kuitenkin ilmeisiä. Kytkentähäviöt ovat suuret, mikä johtuu pii-MOSFETin rakenteen ominaisuuksista.

Tämän ongelman ratkaisemiseksi sekä tehokkuuden ja kytkennän parantamiseksi tehojärjestelmien suunnittelijat ovat ottaneet käyttöön useita topologioita, joissa kytkentä onnistuu nollajännitteellä ja/tai nollavirralla. Nämä topologiat ovat kuitenkin monimutkaisia ja edellyttävät monimutkaisten ohjausjärjestelmien käyttöä ja suurta määrää komponentteja.

Kuva 1. GaN HEMT -pohjainen half-bridge -kortti Panasonicin GaN-kytkimillä.

Uuden sukupolven virtakytkimet, jotka on valmistettu laajan kaistaeron galliumnitridi- tai piikarbidimateriaaleista, ovat antaneet suunnittelijoille mahdollisuuden harkita uusien virtatopologioiden käyttöä, jotka ovat yksinkertaisempia toteuttaa ja käyttävät vähemmän komponentteja. Silti niillä saavutetaan huomattavasti parempi tehokkuus. Tämä johtuu siitä, että sekä GaN- että SiC-virtakytkimillä on luonnostaan pienemmät häviöt kytkettäessä suoraan suurjännitteestä.

Sillaton toteeminapainen PFC-topologia (Power Factor Correction) herättää erityistä kiinnostusta suuritehoisissa järjestelmissä. PFC-konfiguraatiossa yksi aktiivisilla kytkimillä varustettu puolisilta (half-bridge) joko korkean liikkuvuuden eli HEMT-GaN-transistoreilla (High Electron Mobility Transistors) tai SiC-MOSFETeilla tukee kytkentää minimaalisilla häviöillä.

Tämä kuulostaa hyvältä, mutta tosielämän toteutukset osoittavat, että laitteen kotelo, ohjaimen valinta ja piirilevyn asettelu vaikuttavat merkittävästi laajan kaistaeron piirien suorituskykyyn kytkettäessä suurella jännitteellä. Future Electronicsin tehojärjestelmien suunnittelutiimi yhtiön Eghamin osaamiskeskuksessa on testannut ja vertaillut erilaisia half-bridge -kokoonpanoja käyttämällä sekä GaN HEMT- että SiC MOSFET -piirejä sillattomassa toteeminapaisessa PFC-topologiassa. Tässä artikkelissa esitellään vertailun tuloksia ja ehdotetaan parhaita ratkaisuja laajan kaistaeron tehokomponenttien käyttämisestä suuren jännitteen kytkentäjärjestelmiin.

GaNdalf-EVALUOINTIALUSTA

Eri komponenttien arviointi tehtiin GaNdalf-alustalla, joka on modulaarinen sillattomalla PCF-piirillä toteutettu kehityskortti. Se tuottaa 400 voltin DC-lähdön verkkovirrasta. GaNdalf-kortissa on laajennusliitäntä, joka mahdollistaa useiden puolisiltakorttien helpon vertaamisen. Nämä voivat olla joko GaN HEMT- tai SiC MOSFET -kortteja eristetyillä ajureilla ja DC-DC-virtalähteillä.

Vertailukohdaksi eri kytkinkokoonpanoille oli puolisiltakortti, jossa käytettiin Panasonicin PGA26E06BA GaN -kytkimiä nopeiden opto-kytkimien eristämänä ja Panasonicin nopeita GaN-ohjaimia (AN34092B) (kuva 1). Tämä järjestelmä saavutti 99 prosentin hyötysuhteen syötettäessä jopa 1 kilowatin kuormia.

Uusien puolisiltakorttien käyttöönotto antoi osaamiskeskuksen suunnittelijoille mahdollisuuden tavoitella suurempia tehoja ja parempaa lämpösuorituskykyä, ja samalla pienentää ajuripiiristön kustannuksia.

Futuren kehittäjät pääsivät myös arvioimaan 600-700 volttiin mitoitettujen SiC MOSFET -piirien etuja 3- tai 4-nastaisissa TO-247-koteloissa. jotka mahdollistivat parempia vaihtoehtoja lämmön poisjohtamiseen.

GaN: LÄMMÖNHALLINTA MIETITYTTÄÄ

Ensimmäiset GaN-pohjaiset puolisiltakortit ovat Infineonilta, Panasonicilta ja Exaganilta. Niiden vastusarvot vaihtelevat välillä 30-190 milliohmia (mΩ). Laitteet toimitetaan pohjapuolelta jäähdytetyissä pintaliitettävissä koteloissa, joissa on 60-80 neliömillimetrin lämpötyynyt.

Piirilevyn rakenne on esitetty kuvassa 2. Jäähdytyselementti (4°C/W) on kytketty puolisiltakorttien kääntöpuolelle ja kytketty sähköisesti PFC-vaiheen ulostulopotentiaaliin. Lämpökosketuspinta jäähdytyselementistä lämpöeristystyynyn ja PCB-pohjakerroksen välillä oli tyypillisesti 300 neliömillimetriä.

Kuva 2. Ylhäältä jäähdytetty GaN HEMT -kokoonpano.

GaN HEMT -piirit tuottavat nopean kytkentänsä takia merkittävästi kohinaa, ja niiden dV/dt-arvo on usein yli 100 V/ns. Suunnittelijan on rajoitettava kohinaa minimoimalla kapasitiivinen kytkentää puolisillan nopeasti kytkevän solmun ja muiden solmujen välillä (ja sen jälkeen maapotentiaaliin). Tämä on kuitenkin ristiriidassa optimaalisen lämmönhallinnan saavuttamisen kanssa, koska GaN HEMT:n lämpöreitti on puolisillan nopea kytkentäsolmu. Vaikka kapasitiivista kytkentää piirilevyn yli voidaan hallita, jotkut kapasitiiviset kytkennät jäähdytyselementtiin ovat väistämättömiä.

GaN-kytkinjärjestelyn sähköisten ja termisten näkökohtien välinen ristiriita vaikutti näiden puolisilta-korttien toimintaan. Korkea kohinataso esti kortin oikean toiminnan, vaikka käytetyt porttiajurit mahdollistivat transienttien immuniteetille yli 100 V/ns arvot.

Futuren kehittäjien oletuksena oli, että ongelman syy oli kapasitiivinen kytkentä jäähdytysele-menttiin. Sen arvoksi laskettiin noin 20 pikofaradia. Jäähdytys-elementin kosketusalueen pienentäminen 300 neliömillimetristä 100 neliömillimetriin pienensi kapasitiivisen kytkennän alle 10 pikofaradiin ja paransi siten kohina-arvoa niin, että kortin toiminta saatiin riittävän hyväksi. Nopeasti kytkevän solmun kosketusalueen pienentäminen kuitenkin väistämättä heikentää lämmön johtumista ja vähentää kuormaa, jota pohjapuolelta jäähdytettyihin GaN-piireihin perustuva järjestelmä voi syöttää ilman tuuletinjäähdytystä.

PÄÄLTÄ JÄÄHDYTTÄMINEN PARANTAA SUORITUSKYKYÄ

Yläpuolelta jäähdytetyn kotelon käyttö poistaa edellä kuvatun ongelman: nyt sähkö- ja lämpöreitit voidaan erottaa.

Ero suorituskyvyssä käytettäessä samaa puolisiltakorttimallia yläpuolelta jäähdytettyjen 70 milliohmin GaN-kytkimien kanssa on huomattava. Ratkaisu toimi erittäin hyvin ilman kohinaongelmia. 99 prosentin hyötysuhteen saavuttava kortti, jossa on ylhäällä asennettu 4°C/W-jäähdytyselementti eikä pakotettua tuuletusta, säilytti kotelon lämpötilan noin 80 asteessa 25-asteisessa tilassa, kun siitä syötettiin 2 kilowatin lähtöä 220 voltin AC-tulosta.

Futuren kehittäjien kokemus GaNdalf-alustasta osoittaa, että GaN-kytkimiin perustuvissa sillattomissa toteeminapaisissa PFC-piireissä, jotka toimivat yli 1 kilowatin tehotasoilla, suositellaan yläpuolelta jäähdytettyjä koteloita, jos järjestelmää on tarkoitus ajaa ilman pakotettua tuuletusta.

SiC MOSFET: ONGELMIA TO-247-KOTELOISSA

GaNdalf-kehitysalustan modulaarisen rakenteen etuna on, että se helpottaa GaN- ja SiC-laitteiden suoraa vertailua. Eghamin tiimi odotti, että SiC MOSFET -tekniikoihin perustuvat puolisilta-kortit tarjoavat hieman alhaisemman tehokkuuden kuin GaN-pohjaiset järjestelmät. Tämä johtuu siitä, että SiC MOSFET -laitteet, joilla on hitaampi dV/dt ja käänteisen palautumisen häviöt suuremmat, tuottavat suurempia kytkentähäviöitä.

GaN HEMT -laitteisiin verrattuna SiC MOSFET -laitteita on saatavana enemmän ja useammilta valmistajilta, esimerkiksi Microchipiltä, ON Semiconductorilta, STMicroelectronicsilta, Infineonilta ja ROHM Semiconductorilta. Lisäksi 600-700 voltin SiC MOSFET -laitteiden hinnat laskevat nopeasti. Kaikissa uusissa sillatonta toteeminastaista PFC-topologiaa käyttävissä projekteissa saattaa siksi joutua arvioimaan SiC MOSFET -toteutusta.

SiC MOSFET -laitteita toimitetaan sekä 3- että 4-johtimisissa TO-247-koteloissa, mutta tässä tutkimuksessa keskityttiin 4-johtimiseen TO-247-koteloon, joka sisältää lisäksi niin sanotun Kelvin-liitännän. Kehittäjien arviointi paljasti jonkin verran suorituskyvyn vaihtelua sekä toiminnassa että kohinassa eri piirien välillä.

Jotkut piirit toimivat hyvin ja tuottivat lähes 99 prosentin PFC-hyötysuhteen hyvällä kytkennän suorituskyvyllä. Toiset tuottivat alkuun suhteellisen heikkoja kytkentäaaltomuotoja ja gene-roivat sen verran kohinaa, että se vaikutti suorituskykyyn. Yhdessä tapauksessa kohinan vaikutus suorituskykyyn oli pieni.

Testitulokset kertoivat hyvästä hyötysuhteesta, mutta kotelon lämpötila nousi 10 °C korkeammalle kuin vastaavissa laitteissa havaittu. Harmoninen kokonaissärö (THD) oli myös jopa 8 prosenttia suurempi. Lokidatan yksityiskohtainen analyysi osoitti, että tulovirran aaltomuoto oli vääristynyt: tulovirran AC-virta-jakson negatiivinen puoli oli hieman litistynyt.

Laitetoimittajien kanssa tehdyssä perusteellisessa tutkimuksessa tunnistettiin ilmiön perimmäinen syy: joidenkin SiC MOSFET -laitteiden portti-nielu-kapasitanssi (Cgd) voi olla suhteellisen suuri. Yhdistettynä matalaan kynnysjännitteeseen tämä ominaisuus voi altistaa MOSFETin ns. Millerin käynnistysvaikutuksille. Lisäksi sisäisistä kapasitansseista johtuva jännitteen kytkentä voi johtaa huonoon kytkentäaaltomuotoon ja ei-toivottuihin ristiinjohtumisen vaikutuksiin.

Onneksi tähän on lääke. Future Electronicsin suositus on tarkistaa SiC MOSFETin Cgd-luokitus ja hila-lähde-kapasi-tanssin (Cgs) suhde Cgd:een datalehdistä. Jos Cgd on suhteellisen suuri, saattaa kannattaa valita porttiohjain Miller-taso-lukitus-toiminnolla. Tähän esimerkiksi STMicroelectronicsin STGAP2SCM on sopiva tuote. Jos Cgs:n ja Cgd:n suhde on alhainen, on suositeltavaa lisätä Cgs:tä käyttämällä ulkoista kondensaattoria.

Eghamin osaamiskeskuksen GaNdalf-alustaan perustuvassa arvioinnissa (Millerin) tasolukitus-toimintoa käyttävä ohjain yhdistettynä Cgs-lisäkapasitanssiin paransi kytkentätehoa ja järjestelmän kokonaistoimintaa, mikä johti huomattavasti parantuneeseen hyötysuhteeseen, parempaan harmoniseen kokonaissäröön ja myös parempiin kytkentäaaltomuotoihin.

TUTKIMUS TUKEE SUOSITUKSIA

GaNdalf-alusta tarjoaa ihanteellisen perustan tutkia yksityiskohtaisesti sekä GaN- että SiC-laitteiden toimintaa suurella jännitteellä kytkettäessä. Future Electronicsin osaamiskeskuksen tutkijoiden toteuttama vertaileva tutkimus paljasti joitain tärkeitä käytännön tuloksia, joita tehojärjestelmien suunnittelijat voivat hyödyntää.

Erityisen selvää on, että pintaliitettävät kotelot, joissa on yläpuolinen jäähdytys, tarjoavat parhaat kokonaistulokset käytettäessä GaN HEMT -piirejä, joissa tehotasot ylittävät 1 kilowatin ja joissa ei haluta käyttää tuulettimen jäähdytystä.

GaNdalf-piirilevy osoitti myös, että piikarbidilaitteet ylletään hyötysuhteessa hyvin lähelle GaN HEMT -laitteiden lukemia, tehoa pienemmiksi, kun taas piikarbidipohjaiset MOSFETit ovat hinnaltaan houkuttelevia ja laajalti saatavissa.

Jotkut 4-johtimisissa TO-247-koteloissa olevat SiC MOSFET -piirit voivat kärsiä kohinaongelmista ja olla alttiita Miller-vaikutukselle, jossa Cgd on suhteellisen suuri. Monissa tapauksissa nämä ongelmat voidaan ratkaista käyttämällä ohjainta, jolla on aktiivinen tasolukitustoiminto, ja ulkoista Cgs-kapasitanssia kytkentäaaltomuotojen parantamiseksi.

 

Future Electronicsin David Woodcockin kirjoittama artikkeli löytyy uudesta ETNdigi-lehdestä. Sitä pääset lukemaan täällä.

MORE NEWS

Traficom varoittaa: myös .fi-pääte voi viedä huijaussivulle

Suomalaiset verkkosivustot, joilla on .fi-pääte, koetaan usein turvallisiksi. Aika ajoin ilmenee kuitenkin tapauksia, joissa tätä luottamusta on pyritty hyväksikäyttämään. Kyberturvallisuuskeskus kehottaakin tarkkaavaisuuteen myös .fi-osoitteiden kanssa.

Haluatko murtautua yrityksen verkkoon? Se maksaa vain 500 dollaria

Pimeässä verkossa käydään vilkasta kauppaa yritysverkkoihin murtautumisesta ja hinnat ovat yllättävän edullisia. Tietoutrvayritys Check Pointin uunituoreen raportin mukaan rikolliset voivat ostaa pääsyn yritysten sisäverkkoihin jopa 500 dollarilla.

Maailman pienin lidar painaa vain 50 grammaa

Sony Image Sensing Solutions on julkistanut maailman pienimmän ja kevyimmän lidar-etäisyysanturin. Uusi AS-DT1-malli hyödyntää dToF-teknologiaa (Direct Time of Flight) ja painaa vain 50 grammaa. Moduulin mitat ovat vain 29 x 29 x 31 millimetriä.

Apple aikoo kiertää Trumpin tullimaksut

Apple pyrkii välttämään jopa 145 prosentin tullit Kiinasta tuoduista tuotteista siirtämällä iPhone-tuotantoaan Intiaan ja nopeuttamalla logistiikkaansa, kertovat Reuters ja MarketWatch. Yhtiö on Reutersin mukaan lennättänyt viime viikkojen aikana noin 600 tonnia iPhoneja – arviolta 1,5 miljoonaa kappaletta – Intiasta Yhdysvaltoihin. Tarkoituksena on kasvattaa Yhdysvaltain varastoja ennen kuin tullit nostavat laitteiden hintoja dramaattisesti.

Uusi anturi tuo elokuvatason kuvanlaadun huippupuhelimiin

Piilaaksolainen Omnivision on julkistanut uuden kuva-anturin, joka tuo ennennäkemättömän laajan dynaamisen alueen ja elokuvatason videokuvauksen älypuhelimiin. OV50X-uutuusanturi on suunnattu huippuluokan puhelimiin, jotka tavoittelevat parasta mahdollista kuvanlaatua kaikissa valaistusolosuhteissa.

Yllättävä tutkimus: ChatGPT tekee samanlaisia päättelyvirheitä kuin ihminen

Tuore kansainvälinen tutkimus paljastaa, että tekoäly ei ole niin rationaalinen kuin usein uskotaan. OpenAI:n kehittämä ChatGPT tekee monissa tilanteissa samanlaisia päättelyvirheitä kuin ihmiset – ja joskus vielä pahempia.

Näin Teslan ja BYD:n akut eroavat toisistaan

Saksalaisen RWTH Aachenin yliopiston tutkijat ovat tehneet perusteellisen purkuanalyysin kahdesta maailman johtavan sähköautovalmistajan, Teslan ja BYD:n, litiumioniakusta. Tutkimuksessa verrattiin Teslan 4680-sylinterikennoa ja BYD:n Blade-prismaattista kennoa kennotasolla.

Suomalaisyritys tuo yrityksille oman tekoälyn

Suomalainen konsulttitalo Y4 Works on lanseerannut uuden tekoälyratkaisun, Suunta.ai:n, joka tuo organisaatioille niiden oman, asiantuntijamaisen tekoälyn. Toisin kuin yleiset kielimallit, kuten ChatGPT, Suunta.ai oppii yrityksen omasta datasta, haastaa käyttäjäänsä ja toimii kuin digitaalinen liiketoimintakonsultti.

Piikarbidi vähentää tehohäviöitä datakeskuksessa

ON Semiconductor on julkaissut uuden sukupolven tehomoduulin, joka lupaa merkittävästi pienempiä tehohäviöitä ja energiatehokkaampaa käyttöä erityisesti datakeskuksissa ja teollisuussovelluksissa.

Boreo ostaa Elfa Distrelecin Suomen ja Baltian toiminnot

Boreo Oyj on allekirjoittanut sopimuksen Elfa Distrelecin myyntitoimintojen ostamisesta Suomessa, Latviassa, Virossa ja Liettuassa. Kaupan myötä Elfa siirtyy näissä samaan yritysryhmään kuin Yleiselektroniikan toiminnot. Kauppahinnaksi ilmoitetaan 5,5 miljoonaa euroa.

Ruotsalaistutkijoiden vahvistin nostaa kuidun kapasiteetin 10-kertaiseksi

Göteborgilaisen Chalmersin teknillisen korkeakoulun tutkijat ovat kehittäneet uudenlaisen optisen vahvistimen, joka voi moninkertaistaa kuituverkkojen tiedonsiirtokyvyn. Uusi vahvistin mahdollistaa jopa kymmenen kertaa enemmän dataa sekunnissa verrattuna nykyisiin teknologioihin.

Google siirtää sovelluskehityksen selaimeen – tekoäly isossa roolissa

Google esitteli Cloud Next -tapahtumassaan uuden sukupolven sovelluskehitysalustan, Firebase Studion, joka siirtää koko kehitysprosessin selaimeen – suunnittelusta julkaisuun. Uutuus rakentuu vahvasti tekoälyavusteisuuden ympärille ja hyödyntää Googlen omaa Gemini-mallia läpi koko kehityksen.

Trumpin tullit iskevät rankasti suuriin amerikkalaisiin autonvalmistajiin

Yhdysvallat asetti viime viikolla 25 prosentin tuontitullit useista maista tuotaville autoille ja varaosille. Presidentti Trumpin hallinnon ilmoittamat laajat tuontitullit ovat tuomassa autoalalle uudenlaisia haasteita. Vaikka toimenpiteet on nimellisesti suunnattu vahvistamaan kotimaista teollisuutta, tuoreen analyysin mukaan myös Yhdysvaltain omat jättivalmistajat – General Motors, Ford ja Stellantis – ovat merkittävästi alttiita tullien vaikutuksille.

Nokian ja Telian 5G-viipale kattoi kolme maata

Nokia, Telia ja Puolustusvoimat ovat saavuttaneet maailmanlaajuisesti merkittävän teknologisen virstanpylvään toteuttamalla ensimmäisen saumattoman 5G Standalone -verkkoviipaleen (slice) siirron kolmen eri maan välillä toimivassa verkossa. Kokeilu osoittaa, kuinka 5G-teknologiaa voidaan hyödyntää viranomaisviestinnässä myös kansainvälisesti.

Optinen liitäntä tuotiin ensimmäistä kertaa SSD-levylle

Tallennustekniikan kehityksessä saavutettiin merkittävä virstanpylväs, kun KIOXIA, AIO Core ja Kyocera julkistivat ensimmäisen toimivan SSD-levyn, jossa käytetään optista liitäntää. Uusi prototyyppi yhdistää PCIe 5.0 -väylän ja valoon perstuvan optisen tiedonsiirron, mikä tekee siitä maailman ensimmäisen laatuaan.

Joskus yksittäinen komponentti voi olla vaarallinen takaovi

Yritykset investoivat valtavasti kyberturvallisuuteen suojatakseen verkkojaan ja sovelluksiaan. Silti, kaikista suojaustoimista huolimatta, verkkorikolliset onnistuvat vuosi vuodelta entistä paremmin. Miten tämä on mahdollista, kysyy Lenovon tietoturva-asiantuntija Steven Antoniou?

Trump haluaa nopeuttaa miljardi-investointeja Yhdysvaltain puolijohdeteollisuuteen

Yhdysvaltain presidentti Donald Trump on antanut uuden presidentin asetuksen, jolla perustetaan United States Investment Accelerator -niminen virasto vauhdittamaan miljardiluokan investointeja maahan. Tavoitteena on houkutella sekä kotimaisia että ulkomaisia yrityksiä sijoittamaan erityisesti strategisesti tärkeisiin aloihin, kuten puolijohdeteollisuuteen.

Ethernet aikoo vallata autot

CAN-väylä on hallinnut autoja pitkään, mutta moni uskoo kaistatarpeen vaativan jatkossa Ethernetiä. Tätä silmällä pitäen Infineon on ostanut Marvellin aujoneuvojen Ethernet-liiketoiminnan 2,5 miljardilla dollarilla. Kauppa kattaa Marvellin Brightlane-tuotesarjan ja siihen liittyvät varat, ja sen odotetaan toteutuvan vuoden 2025 aikana.

STMicroelectronics julkisti kevyemmän version MP25-prosessorista

STMicroelectronics on tuonut markkinoille uuden STM32MP23-mikroprosessorisarjan, joka täydentää viime vuonna julkaistua MP25-sarjaa. Uutuusprosessori tarjoaa tehokkaan ja taloudellisen vaihtoehdon teollisuuden ja esineiden internetin (IoT) älykkäisiin reunalaitteisiin, koneoppimiseen ja kehittyneisiin käyttöliittymäratkaisuihin.

Androidin avustin voi muuttua vaaralliseksi takaoveksi

Androidin esteettömyyspalvelu – jonka tarkoitus on auttaa käyttäjiä käyttämään puhelinta paremmin esimerkiksi näkö- tai liikuntarajoitteiden kanssa – voi muuttua tietoturvariskiksi. Tuore Georgia Techin tutkimus esittelee uuden analyysityökalun, DVa:n, joka paljastaa, kuinka haittaohjelmat hyödyntävät tätä avustinta päästäkseen käsiksi käyttäjän tietoihin ja sovelluksiin.

Galvaaninen erotus on yhä tärkeämmässä roolissa

Teollisuus- ja ajoneuvosovelluksissa siirtyminen kohti kestävämpiä energiaratkaisuja ja tehokkaampia moottoreita tuo mukanaan uudenlaisia vaatimuksia elektroniikkasuunnittelulle. Järjestelmät yhdistävät yhä useammin laajan kaistaeron komponentteihin perustuvat suurjännitealijärjestelmät ja herkät pienjännitepiirit, kuten mikro-ohjaimet. Näiden yhdistäminen samassa kokonaisuudessa lisää sekä suorituskykyä että riskejä – galvaaninen erotus ja häiriösuojaus ovatkin nyt tärkeämpiä kuin koskaan, sanoo Toshiba Electronics Europe.

Lue lisää...

Joskus yksittäinen komponentti voi olla vaarallinen takaovi

Yritykset investoivat valtavasti kyberturvallisuuteen suojatakseen verkkojaan ja sovelluksiaan. Silti, kaikista suojaustoimista huolimatta, verkkorikolliset onnistuvat vuosi vuodelta entistä paremmin. Miten tämä on mahdollista, kysyy Lenovon tietoturva-asiantuntija Steven Antoniou?

Lue lisää...

 

Tule tapaamaan meitä tulevissa tapahtumissamme.
R&S-seminaareihin saat kutsukirjeet ja uutiskirjeet suoraan sähköpostiisi, kun rekisteröidyt sivuillamme.
 
 R&S -seminaari: 5G Advanced & Beyond
Oulussa 13.5.2025
Espoossa 14.5.2025
 
R&S -seminaari: Calibration
Tampereella 22.5.2025

Seminaareihin ilmoittautuminen ja tiedustelut:
asiakaspalvelu@rohde&schwarz
 

 

LATEST NEWS

NEW PRODUCTS

 
 
article