Tehokomponenttien valmistaja SemiQ on julkistanut uuden sukupolven 1200V SiC MOSFET -komponentin, joka pienentää sirukokoa samalla parantaen kytkentänopeutta ja tehokkuutta. Uusi QSiC 1200V -MOSFET on 20 % pienempi kuin edeltäjänsä, mutta tarjoaa merkittävästi parempaa suorituskykyä suurjännitesovelluksissa. Tämä kuvaa hyvin sitä nopeaa kehitystä, joka piikarbidikomponenteissa on tällä hetkellä käynnissä.
SemiQ:n uutuus on suunnattu laajaan sovellusalueeseen, mukaan lukien sähköautojen latausasemat, aurinkoenergian invertterit, teollisuuden virtalähteet ja induktiolämmitysratkaisut.
QSiC 1200V -MOSFET tarjoaa 1200V drain-to-source-jännitteen, pienentää kokonaiskytkentähäviöt 1646 µJ:een ja sen on-resistanssi on vain 16,1 mΩ. Komponentti on saatavilla on sekä paljaana siruna että nelinapaisessa TO-247 4L -kotelossa, jonka mitat ovat 31,4 x 16,1 x 4,8 millimetriä.
Tunnetun hyviksi testatut (Known Good Die, KGD) sirut on testattu yli 1400V:n jännitteellä ja ne ovat läpäisseet 800 mJ:n avalanche-testauksen. Luotettavuutta lisää myös 100 % wafer-tason porttioksidien polttotesti ja yksittäispakattujen komponenttien 100 % UIL-testit.
Suunniteltu nopeaan kytkentään ja parempaan tehokkuuteen
QSiC 1200V MOSFET on kehitetty erityisesti parantamaan kytkentänopeutta ja vähentämään häviöitä. Sen alhainen reverse recovery -varaus (QRR 470 nC) ja pienempi kapasitanssi parantavat kytkentäominaisuuksia, vähentävät EMI-häiriöitä ja nostavat kokonaishyötysuhdetta. Uutuus-MOSFET esitellään ensi kertaa Applied Power Electronics Conference (APEC) -tapahtumassa Atlantassa maaliskuun puolivälissä.