ADVERTISE SUBSCRIBE TECHNICAL ARTICLES EVENTS ETNdigi ABOUT USCONTACT
Oct 29/9 30/9 # Rohde supersquare
Nov # TME (2) square
6/2-15/5 # Period: start idag om möjligt 6/2—15/5 egen prenannons, över- och  underdeldel

ETNtv

Watch ECF videos

 
ECF22 videos
  • Antti Tolvanen, Etteplan
  • Timo Poikonen, congatec
  • Kimmo Järvinen, Ziphera
  • Sigurd Hellesvik, Nordic Semiconductor
  • Hans Andersson, Acal BFi
  • Andrea J. Beuter, Real-Time Systems
  • Ronald Singh, Digi International
  • Pertti Jalasvirta, CyberWatch Finland
ECF19 videos
  • Julius Kaluzevicius, Rutronik.com
  • Carsten Kindler, Altium
  • Tino Pyssysalo, Qt Company
  • Timo Poikonen, congatec
  • Wolfgang Meier, Data-Modul
  • Ronald Singh, Digi International
  • Bobby Vale, Advantech
  • Antti Tolvanen, Etteplan
  • Zach Shelby, Arm VP of Developers
ECF18 videos
  • Jaakko Ala-Paavola, Etteplan CTO
  • Heikki Ailisto, VTT
  • Lauri Koskinen, Minima Processor CTO
  • Tim Jensen, Avnet Integrated
  • Antti Löytynoja, Mathworks
  • Ilmari Veijola, Siemens

logotypen

 2022  # square  (4)
TMSNet  advertisement
ETNdigi
Jan # Farnell sajt skyskrapa
A la carte
AUTOMATION DEVICES EMBEDDED NETWORKS TEST&MEASUREMENT SOFTWARE POWER BUSINESS NEW PRODUCTS
ADVERTISE SUBSCRIBE TECHNICAL ARTICLES EVENTS ETNdigi ABOUT US CONTACT
Tweet

TECHNICAL ARTICLES

Piikarbidi takaa tehokkaan lisävirran

Tietoja
Kirjoittanut Veijo Ojanperä
Julkaistu: 20.09.2022
  • Devices
  • Power

Piikarbidiin perustuvien MOSFETien käyttö sähköajoneuvojen lisätehoyksiköissä tarjoaa ylivoimaisia etuja piipohjaiseen IGBT-ratkaisuun verrattuna fyysisen koon, painon, energiatehokkuuden ja melun suhteen. Edut voidaan saavuttaa käyttäen kestäviä SiC MOSFET -kytkimiä, alhaisen induktanssin omaavia koteloita ja riittävän älykkäitä hilaohjaimia.

Artikkelin ovat kirjoittaneet Kevin Speer, Nitesh Satheesh ja Marc Rommerswinkel Microchip Technology -yhtiöstä. 

Kuluttajille suunnattujen ajoneuvojen sähköistymisen edetessä myös muut liikennemuodot seuraavat tätä makrotason kehitystä: raideliikenne, lentokoneet, jakeluautot, maastoajoneuvot ja monet muut. Kaikissa sähköistetyissä ajoneuvoissa on kaksi sähköjärjestelmää: voimansiirrosta vastaava TPU (Traction Power Unit) sekä lisätehoa syöttävä APU (Auxiliary Power Unit), joka antaa virtaa ajoneuvon kaikille muille osille, aina valaistuksesta ja ovista ilmastointiin ja pistorasioihin.

Toisin kuin kuluttajille suunnatuilla sähköautoilla, joilla korostuu pitkä toimintamatka yhdellä latauksella, muilla liikennemuodoilla voi olla toisenlaisia prioriteetteja, jotka voidaan ratkaista APU-yksikön parannuksilla. Esimerkiksi laajasta matkustamotilasta on hyötyä erityisesti kevyessä raideliikenteessä, koska vapaa tila mahdollistaa enemmän maksavia matkustajia.

Luotettavuus kentällä puolestaan on ensiarvoisen tärkeää kaivosajoneuvoissa, joiden seisokkien aiheuttamia menetyksiä saatetaan mitata miljoonissa euroissa päivää kohti. Ja kaikissa käyttötapauksissa matkustajien mukavuus on ratkaisevan tärkeää markkinoilla, joita palvelevat keskenään kilpailevat OEM-valmistajat, jotka hamuavat valikoivia ostajia.

Piipohjaisten IGBT-komponenttien suuret kytkentähäviöt ovat aiemmin estäneet kuljetusalan APU-yksiköiden parantelua. Rajoittaessaan kytkentätaajuutta IGBT-komponentit ovat määränneet lisätehoyksikön suurimpien komponenttien eli erotusmuuntajan ja jäähdytyselementin vähimmäiskoon. Piikarbidiin perustuvan SiC-kytkimen avulla erotusmuuntajan kokoa voidaan merkittävästi pienentää suorittamalla kytkintoiminta suuremmilla taajuuksilla. Kun kytkentähäviöt vähenevät 80% tai jopa enemmän, tarvittavat jäähdytyselementit kutistuvat vastaavasti.

Lisäksi APU-yksikön käyttämät kytkentätaajuudet voidaan valita ihmisen kuuloalueen ulkopuolelta, mikä eliminoi matkustajia rasittavan kimeän vinkumisen. Myös korkea hyötysuhde on välttämätön ominaisuus, koska APU toimii jatkuvasti ja usein vain kevyesti kuormitettuna. SiC-rakenteisen MOSFET-kytkimen johtavuushäviöt ovat kevyellä kuormalla merkittävästi pienemmät kuin IGBT-kytkimen.

SiC-kytkin käyttöön

SiC MOSFETin sitkeys laaja-alaisesti vaihtelevissa oloissa on olennainen seikka APU-yksiköille, jotka toimivat sekä mukavuustoimintojen että hätätilanteiden vaatimissa kuormitustilanteissa. On kuitenkin varmistettava: 1) MOSFETin hilaoksidin stabiilius, joka on tunnettu ongelma SiC-kytkimissä; 2) hilaoksidin käyttöikä; 3) MOSFETin runkodiodin stabiilius; ja 4) vikasietoisuus, esimerkiksi selviäminen syöksyvirroista ja oikosuluista.

Hilaoksidin yhtenäisyys

Jos tehokytkimen kynnysjännite muuttuu, myös laitteen suorituskyky muuttuu (esim. on-resistanssi kasvaa), mikä johtaa järjestelmän virheelliseen toimintaan ja mahdollisesti APU-yksikön vikaantumiseen. Kuvasta 1 nähdään, että tuotantolaatuisten SiC MOSFETien kynnysjännitteessä Vth ei voi havaita mitään merkittävää muutosta 1000 tunnin rasituksen jälkeen 175 asteen lämpötilassa.

Kuva 1. Tuotantolaatuisten SiC MOSFETien kynnysjännite ennen ja jälkeen negatiivisen (vas.) ja positiivisen (oik.) hilajännitteen aiheuttaman 1000 tunnin rasituksen korkeassa lämpötilassa.

Hilaoksidin käyttöikää voidaan ennustaa kiihdyttämällä vikanäytteiden ottamista käyttäen kohotettua lämpötilaa ja sähkökenttää. Aktivointienergia erotetaan kullekin vikamuodolle ja Arrhenius-yhtälöä käytetään ekstrapoloimaan oksidin käyttöikä (kuva 2). Tuotantolaatuisen SiC MOSFETin hilaoksidi voi kestää yli 100 vuotta vahvassa rasituksessa, mikä lisää luottamusta APU-yksikön rutiininomaiseen ja luotettavaan toimintaan vielä suunnitellun käyttöiän jälkeenkin.

Kuva 2. Esimerkki Microchipin tuotantolaatuisen SiC MOSFETin hilaoksidin ekstrapoloidusta käyttöiästä.

Runkodiodin vakaus

Toisin kuin IGBT-transistori, SiC MOSFET voi johtaa käänteistä virtaa hyödyntäen sisäistä runkodiodiaan. Joissakin komponenteissa tämä diodi heikkenee ajan myötä, mikä johtaa kasvavaan RDS,on-resistanssiin ja suunniteltua voimakkaampaan kuumenemiseen.

Kuvassa 3 nähdään runkodiodin I/V-käyrät ja MOSFETin johtavan tilan nielu-lähde-resistanssi RDS,on useiden tuntien myötäsuuntaisen vakiovirtarasituksen jälkeen [1]. Eri toimittajien välillä on suuria eroja. Yhden toimittajan komponentissa oli havaittavissa oleva heikkeneminen ja toisesta tuli käyttökelvoton. Valituissa kytkimissä ei saisi näkyä havaittavaa muutosta. Vakaan runkodiodin omaavan SiC MOSFETin käyttö parantaa luotettavuutta ja alentaa kustannuksia eliminoimalla rinnakkaisen käänteisdiodin tarpeen.

Kuva 3. Nielu-lähde-resistanssi RDS,on kaupallisesti saatavilla SiC MOSFETeilla ennen ja jälkeen rasituksen. Käyrät paljastavat kolmen eri toimittajan sisäisen runkodiodin laadunvaihtelut [1].

Oikosulun ja syöksyvirran sieto

Ajoneuvoissa käytettävät APU-yksiköt ovat herkkiä erilaisille vikatilanteille ja ne vaativat SiC MOSFETin, joka on suunniteltu kestämään turvallisesti näiden tapahtumien läpi ja ylläpitämään tasaista suorituskykyä ennen ja jälkeen vikatilanteiden.

Oikosulunsieto kuvaa MOSFETin kykyä selviytyä välittömästä DC-linkin oikosulusta nielu-lähde-napojen välillä. MOS-kanavat vahvistuvat, jolloin oikein suunniteltu komponentti voi jakaa huippuvirrat turvallisesti koko MOSFET-sirun alueelle.

Kuvassa 4 on esitetty tuotantolaatuisten SiC MOSFETien oikosulun sietoajat (SCWT). Microchipin komponentilla aika on 3 – 14 mikrosekuntia ja riippuu tasavirtapiirin jännitteestä sekä käytettävästä VGS -arvosta. Tämä riittää monille kaupallisesti saataville hilaohjaimille. Seuraavassa jaksossa kuvattu edistyksellinen ohjain lisää järjestelmän älykkyyttä oikosulun havaitsemisessa.

Kuva 4. Tuotantolaatuisten SiC MOSFETien oikosulun sietoaika.

Syöksyvirran kestävyys on vieläkin vaativampaa: kuormitusvirta syöksyy äkillisesti MOSFETiin, mikä pakottaa nielu-lähde-jännitteen nousemaan läpilyöntiarvoon asti. Toisin kuin oikosulussa, MOS-kanavat eivät vahvistu ja syöksyvirta pakkautuu sirun reunoille sekä saattaa komponentin nopeasti sallitun lämpenemisen raja-alueelle.

Toistuvaa lukittumatonta induktiivista kytkentää (R-UIS) käytetään syöksyvirran kestävyyden arviointiin. Kuva 5 esittää kaupallisten SiC MOSFETien ajasta riippuvaa dielektristä läpilyöntiä (TDDB, Time-Dependent Dielectric Breakdown) ennen ja jälkeen 100 000 R-UIS-syklin. Monet komponenttien toimittajat ovat onnistuneet säilyttämään oksidikerroksen lujuuden riittävänä, mutta Microchipin kytkimen jopa nelinkertainen sietokyky ja RDS,on-resistanssin sekä nielu-lähde-vuodon stabiilius vahvistavat SiC MOSFETin kykyä selvitä turvallisesti kaikkein vaativimmissa sähköisissä ylikuormitustilanteissa.

Kuva 5. Ajasta riippuva dielektrinen läpilyönti ennen ja jälkeen toistuvan syöksyvirtahäiriön neljän eri toimittajan kaupallisella SiC MOSFETilla.

Alhainen koteloinduktanssi nopeuttaa

Yhdessä suurten nousu- ja laskunopeuksien kanssa ongelmalliset hajainduktanssit aiheuttavat sähköjärjestelmään kasvavia kytkentähäviöitä, liian suuria ylijännitteitä, EMI-häiriöitä ja mahdollisia APU-yksiköiden vikoja. Vaadittavat ennaltaehkäisevät toimenpiteet MOSFETien nopeuden hidastamiseksi voivat saada suunnittelijat miettimään, mitä piikarbidin arvolupaukselle on tapahtunut.

Microchipin kehittämä alhaisen induktanssin omaava SP6LI-kotelo osoittaa, kuinka nämä ongelmat voidaan ratkaista. Vaihehaaroitettu rakenne lisää vain alle 3 nanohenryn parasiittisen induktanssin tehosilmukkaan. Sisäinen layout-optimointi on tehty identtisen ajoituksen ja virranjaon varmistamiseksi. Lämmönkäsittelykykyä voidaan parantaa käyttämällä piinitridipohjaista keramiikkaa (saatavissa myös alumiininitridi), ja pohjalevymateriaalin vaihtoehtoja ovat kupari ja AlSiC.

Ulkoisesti teholiitännät mahdollistavat alhaisen induktanssin kytkennän DC-linkkiin ja optimaalisen rinnakkaisuuden molempiin suuntiin. SP6LI-kotelon avulla suunnittelijat voivat käyttää SiC MOSFETia entistä suuremmilla kytkentänopeuksilla, paremmalla hyötysuhteella ja alhaisemmalla EMI-häiriötasolla. Näin voidaan kutistaa APU-yksikön kokoa samalla, kun eliminoidaan EMI-häiriöihin liittyvät viat.

Hilaohjain pitää APU:n raiteilla

APU-yksikön suorituskyky ja luotettavuus voidaan myös optimoida käyttämällä ohjelmoitavia digitaalisia hilaohjaimia, jotka mahdollistavat ylitysjännitteiden ja kytkentähäviöiden hienosäädön lennossa. Tämän ansiosta suunnittelijat voivat pienentää APU-yksiköiden kustannuksia ja kokoa entistä alhaisemmalla jännitteellä toimivilla komponenteilla ja pienemmillä jäähdytyselementeillä – ja eliminoida työtunnit erikokoisten hilavastusten parissa juotin kourassa.

Lisätyn kytkennän vaikutus nähdään kuvassa 6. Toisin kuin perinteinen sammutus (vasemmalla), lisätyn kytkennän sammutusvaihe alkaa 20 voltin jännitteellä, siirtyy käyttäjän ohjelmoimalle välitasolle tietyn viiveen ajaksi, ja päätyy lopuksi off-tilaan -5V. Vaikutukset ovat vähäisiä SP6LI-kotelon poikkeuksellisen alhaisen hajainduktanssin ansiosta. Muualla on julkaistu vastaavia mittaustuloksia, joissa nähdään selvempiä vaikutuksia [2,3]. Lisäksi oikosulkutilanteet saadaan lisätyn kytkennän ansiosta pysäytettyä nopeasti, mikä alentaa huippujännitettä 60% ja vastaavasti virtaa 10% (kuva 7).

Kuva 6. Graafinen käyttöliittymä ohjelmoitavalle AgileSwitch-hilaohjaimelle sekä sammutuksen aaltomuodot, kun käytetään perinteistä kytkentää (vasemmalla) ja lisättyä kytkentää (oikealla).

 

Kuva 7. Demonstraatio osoittaa, kuinka lisätty kytkentä (oikealla) voi vähentää huippujännitettä ja huippuvirtaa oikosulkutapahtuman aikana verrattuna perinteiseen kytkentään (vasemmalla).

Täydellinen SiC-järjestelmäratkaisu

Halutessaan virtaviivaistaa kehitystyötä aina kaksiosaisen pulssin evaluoinnista massatuotantoon asti, suunnittelijat tarvitsevat kehityssarjoja, jotka yhdistävät kaikki kolme ajoneuvojen APU-yksiköiden osaa kokonaisvaltaiseksi SiC-järjestelmäratkaisuksi: kestävät SiC-tehokytkimet, alhaisen hajainduktanssin omaavat tehokotelot ja älykkäät hilaohjaimet. Kuva 8 osoittaa, kuinka Microchipin kehityssarjan tarjoama ratkaisu voidaan sijoittaa APU-yksikön piirikaavioon.

Kuva 8. Ehdotus vaihesiirretyn täyssillan toteutukseksi Microchipin kehityssarjan ASDAK+ avulla kuljetusalan APU-yksikön DC-DC-osassa. [4]

Ylivoimaisia etuja

SiC MOSFETien käyttö ajoneuvojen lisätehoyksiköissä tarjoaa ylivoimaisia etuja piipohjaiseen IGBT-ratkaisuun verrattuna APU-yksikön koon, painon energiatehokkuuden ja melun suhteen. Nämä edut voidaan kuitenkin saavuttaa vain korkealla kenttätason luotettavuudella käyttäen kestäviä SiC MOSFET -komponentteja, alhaisen induktanssin omaavia koteloita ja riittävän älykästä hilaohjainta hallitsemaan piikarbidin ketterää suorituskykyä.

Suunnittelijat voivat näin ratkaista kuljetusalan lisätehoyksiköiden suunnitteluhaasteet kokonaisvaltaisilla SiC-järjestelmäratkaisuilla, jotka samalla vähentävät APU-yksiköiden kokoa, melua ja kenttävikoja.

 

Viitteet

[1] Agarwal, A. and Kang, M., private communication, 2020.

[2] Speer, K., Satheesh, N., Kashyap, A., and Bontemps, S., “Streamlined SiC Development With a Total System Solution,” IEEE Power Electronics Magazine, Vol. 7, No. 4, pp. 28-35, 2020.

[3] Satheesh, N., Robins, C., and Fender, A., “The State of Intelligent SiC MOSFET Gate Drivers,” Bodo’s Power Systems, pp. 30-33, February 2018.

[4] Satheesh, N., “Silicon carbide MOSFETs: Handle with care,” in Proc. Applied Power Electronics Conference (APEC), San Antonio, Texas, USA, 2018.

[5] Hayashiya, H. and Kondo, K., “Recent Trends in Power Electronics Applications as Solutions in Electric Railways,” IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering, vol. 15: 632-645, 2020.

back to top
MORE NEWS

Verkkorikolliset ohittavat ChatGPT:n rajoituksia

On jo selvää, että verkkorikolliset hyödyntävät OpenAI-alustaa ja erityisesti CharGPT-bottia tietojenkalasteluviestien ja haittaohjelmien tekemiseen. OpenAI on rakentanut malleihinsa rajoituksia, joiden pitäisi estää esimerkiksi haittakoodin luomisen. Rajoitukset eivät kuitenkaan toimi.

OnePlus 11 on paluu juurille

OnePlus julkisti tänään uuden lippulaivapuhelimensa. Nimi on pelkistetysti OnePlus 11 eli Pro-liite puuttuu, mutta kyse on uusinta rautaa sisältä premium-mallista. Samalla uutuus on hyvällä tavalla paluu OnePlussan juurille parin vuoden hapuilun jälkeen.

OnePlus 11 pian julki - näin Android-osuudet kehittyivät viime vuonna

Android-markkinoilla tapahtuu. Samsung esitteli juuri uudet Galaxy S23 -puhelimensa ja tänään OnePlus paljastaa uusimman mallinsa. Pelisivusto CasinosEnLigne esitteli juuri Android-valmistajien markkinaosuudet viime vuodelta.

Instan kännykän kokoinen laite suojaa datan kaikkialla

Insta on esitellyt uuden mukanakuljetettavan salauslaitteen. Insta SafeLink Lite -salain on kehitetty korkeaa tietoturvaa kaipaavien yritysten käyttöön. Se on markkinoiden pienin VPN-ratkaisu, jolle on saatu Traficomin TL III -hyväksyntä.

Farnell tutki: suunnittelijat haluavat testereitä kotiinsa

Farnellin element14-yhteisössä on kysytty näkemyksiä siitä, miten suunnittelijat haluavat työskennellä. Hybridityön malli on selvästi suosituin, sillä 90 prosenttia vastaajista kertoi haluavansa ja tarvitsevansa testereitä kotiinsa.

Nokian Pekka Lundmark: Tämän takia 6G:tä tarvitaan

Nokian toimitusjohtaja Pekka Lundmark kertoi eilen Business Finland 6G-tapahtumassa omia näkemyksiään siitä, miksi tarvitsemme 6G-tekniikkaa. - Jos katsoo Netflixiä 5G:n yli, joku voi ajatella että tarvitsee nopeammin Netflixin. 6G ei ole vain lisää kapasiteettia, pienempää latenssia, parempaa luotettavuutta tai tietoturvaa.

6G Bridgen tarkoitus pitää Suomi mobiilitekniikan kehityksen kärjessä

Business Finland julkisti eilen uuden 300 miljoonan euron ohjelman, jonka tavoite on pitää Suomi mobiilitekniikan kehityksen kärjessä. Business Finlandin pääjohtaja Nina Kopola muistutti, että tehtävä on vaikea. - Kilpailu kovenee koko ajan ja muut haastavat johtoasemaamme, Kopola sanoi.

Kiinnostaako 5G ja 6G? Nyt voit opiskella niitä ilmaiseksi

 

5G alkaa olla levinnyt useimpiin osiin Suomea ja nyt työ alkaa kohti 6G-verkkoja. Mutta mitä nämä pitävät sisällään? Siihen voi nyt jokainen paneutua Helsingin yliopiston avoimella verkkokurssilla. Kurssin lanseerasi tietotekniikan professori Sasu Sarkoma tänään Business Finlandin 6G-tapahtumassa.

Auton nopea data voi pysähtyä liittimeen

Autoissa uudet turvajärjestelmät, mutta myös viihde vaatii yhä nopeampia, gigabittiluokkaan yltäviä väyliä. Näissä järjestelmissä pitää huolehtia siitä, että liitännät toimivat ankarissakin olosuhteissa ja kaapelit ja kortit liittyvät luotettavasti toisiinsa.

Kahdeksan ytimen korttitietokone toistaa 8K-videota

RS Componentsin emoyhtiö Electrocomponentsista pari vuotta sitten irrotettu OKdo on esitellyt tähän asti tehokkaimman korttitietokoneensa. ROCK 5 Model A -kortti perustuu Rockchip RK3588S -järjestelmäpiiriin.

 2022  # mobilbox
Sep Oct # Rohde mobilbox
Jan # Farnell  mobilbox f skyskrapa
TMSNet  advertisement
6/2—15/5 # egenannons mobilbox ecf

© Elektroniikkalehti

 
 

TECHNICAL ARTICLES

Kuinka suunnitella ToF-kamerajärjestelmä?

Monessa konenäkösovelluksessa vaaditaan erilaisten kohteiden etäisyyksien tarkkaa mittaamista. Tämä artikkeli tarjoaa yleiskatsauksen jatkuvan säteilyn (Continous Wave) CMOS-pohjaisen ToF-kamerajärjestelmän tekniikkaan ja sen eduista perinteisiin 3D-kuvausratkaisuihin verrattuna.

Lue lisää...

OPINION

4G-signaali sotki televisiokanavat

Syksyllä alkoi televisiokuva yllättäen pätkiä. Tai oikeastaan pikselöityä. Ja sitten hävisi osa kanavista kokonaan, missä erityisesti Ylen HD-kanavien katoaminen harmitti. Syyksi paljastui lopulta jo kymmeniä tuhansia antenneja vaivannut ongelma: 4G-signaali.

Lue lisää...

LATEST NEWS

  • Verkkorikolliset ohittavat ChatGPT:n rajoituksia
  • OnePlus 11 on paluu juurille
  • OnePlus 11 pian julki - näin Android-osuudet kehittyivät viime vuonna
  • Instan kännykän kokoinen laite suojaa datan kaikkialla
  • Farnell tutki: suunnittelijat haluavat testereitä kotiinsa

NEW PRODUCTS

  • Benderin tuotteet Enkom Activen edustukseen
  • Lisää vauhtia USB- ja Ethernet-liittimiin
  • Paikannusmoduuli kestää 105 asteen lämpötilan
  • Kymmenien tuhansien solmujen mesh-verkkoon uusia moduuleja
  • Nopeampi Wi-Fi käyttöön nostalgisesti tikulla
 

NEWSFLASH

twitter
ETN_fi @ETN_fi
ETN_fi This is why Nokia lost the game in mobile phones - an insiders view https://t.co/NB5Wndkx5p
joulu 12 • reply • retweet • favorite
ETN_fi @OnePlus_FI lahjoittaa Pelastusarmeijalle 50 puhelinta jouluapuun. Iso- Britanniassa samanlainen lahjoitus tehdään… https://t.co/LKdl2Pywie
joulu 07 • reply • retweet • favorite
ETN_fi Finnish PM Sanna Marin: We need to cut our dependence on China. https://t.co/598gQXKvlj #Slush2022 #China #electronics #semiconductors
marras 17 • reply • retweet • favorite
ETN_fi https://t.co/ugg6A09vln Need cm level accuracy in your positioning device? Now you can explore this with #ublox two… https://t.co/5rQNxsAu5V
loka 07 • reply • retweet • favorite
ETN_fi EU chip plan would cost €500bn, says NXP CEO https://t.co/j9bD8VpK9c
loka 04 • reply • retweet • favorite
web design services
 

Section Tapet