DRAM-muisti oli pitkään rajoittava tekijä tietokoneiden suorituskyvyssä. Uusien DDR5-muistien tullessa pian markkinoille tilanne helpottaa hieman, mutta vielä enemmän vauhtia keskusmuisteihin on tulossa tulevien DDR6- ja DDR7-tekniikoiden myötä.
JEDEC työstää jo molempia uusia DRAM-sukupolvia, mutta työ on alkuvaiheissaan. Tämän hetken tietojen mukaan – minkä valmistajatkin vahvistavat – DDR6 nostaa väylän nopeuden kaksi kertaa DDR5:sta nopeammaksi.
Tämä tarkoittaa 12 800 megasiirtoa (megatransfers) sekunnissa. Moduuleja ylikellottamalla voidaan päästä jopa 17 000 megasiirtoon sekunnissa. Samsung on jo arvioinut, että kannettavien tulevat LPDDR6-muistit voisivat kuluttaa 20 prosenttia vähemmän energiaa, vaikka ovatkin kaksi kertaa DDR5-muisteja nopeampia.
DDR6:n jälkeen vuorossa on luonnollisesti DDR7. Samsung on toistaiseksi puhunut vain grafiikkakorttien GDDR7-muisteista, joissa datansiirto kiihtyisi jopa 32 gigabittiin sekunnissa. Tämä olisi käytännössä 10 kertaa tämän hetken läppäreiden DDR4-muisteja nopeammin.
Samsung on myös vihjannut, että DDR7-muisteihin tuotaisiin reaaliaikainen virheenkorjaus, mutta tätä tekniikkaa yritys ei ole vielä julkisesti kuvaillut.