KIOXIA ja Sandisk ovat julkistaneet uuden sukupolven 3D-flash-muistiteknologian, jossa NAND-liitäntänopeus nousee ennätykselliseen 4,8 gigabittiin sekunnissa (Gb/s). Tämä tarkoittaa 33 prosentin parannusta edelliseen, 8. sukupolven versioon verrattuna.
Uusi 3D-flash-muisti esiteltiin ISSCC 2025 -konferenssissa, jossa KIOXIA ja Sandisk esittelivät edistyksellisen CBA-teknologiansa (CMOS directly Bonded to Array). Tämä mahdollistaa tehokkaamman datan käsittelyn ja virrankulutuksen optimoinnin. Lisäksi muistissa hyödynnetään uutta Toggle DDR6.0 -liitäntästandardia sekä SCA-protokollaa (Separate Command Address), joka nopeuttaa komento-osoitteiden käsittelyä. PI-LTT-teknologia (Power Isolated Low-Tapped Termination) puolestaan vähentää virrankulutusta entisestään.
Teknologian tehokkuus ei rajoitu vain nopeuteen. Uuden muistirakenteen 332 kerrosta ja optimoitu tasotiheys mahdollistavat 59 prosentin kasvun bittitiheydessä, mikä parantaa tallennuskapasiteettia ja suorituskykyä erityisesti datakeskuksille ja tekoälysovelluksille. Lisäksi virrankulutusta on saatu laskettua 10 prosenttia syöttöpuolella ja 34 prosenttia ulostulossa, mikä tukee energiatehokkuuden vaatimuksia.
Yritykset kertoivat lisäksi kehittävänsä jo seuraavaa, 9. sukupolven 3D-flash-muistia, jossa yhdistetään uusi CMOS-teknologia nykyiseen muistisoluteknologiaan. Tavoitteena on tarjota kustannustehokkaita, suorituskykyisiä ja vähävirtaisia ratkaisuja yhä laajempaan käyttöön.
Uuden NAND-flash-muistin myötä nopeampi, tehokkaampi ja kapasiteetiltaan suurempi tallennusteknologia tuo merkittäviä etuja erityisesti pilvipalveluihin, datakeskuksiin ja tekoälysovelluksiin. Kehitys asettaa uuden vertailukohdan alan tuleville innovaatioille.