IBM ja Samsung ovat kehittäneet IBM:n Albanyn tutkimuslaitoksessa uuden transistorirakenteen, joka lupaa jatkaa Mooren lain viitoittamaa kehitystä vielä vuosia eteenpäin. Kyse on VTFET-transistorista (Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor), jossa idea on itse asiassa hyvin yksinkertainen: transistori on siinä nostettu pystyasentoon.
IBM:n tutkijoiden mukaan VTFET-transistorin myötä prosessorien suorituskyky voisi kasvaa kaksinkertaiseksi. Toisaalta piirien tehonkulutusta voitaisiin leikata jopa 85 prosenttia. Tutkijoiden mukaan tämä mahdollistaisi sen, että älypuhelimen akku jaksaisi toimia viikon ajan yhdellä latauksella.
Tähän asti sirulle on pakattu enemmän transistoreita kutistamalla hilan ja johtimien pituutta. Askelvalotuksen kehittymisen myötä tämä on onnistunutkin, mutta IBM:n mukaan pienempään skaalaamisen fyysiset rajat tulevat vastaan. Tätä rajaa kutsutaan nimellä CGP (Contacted Gate Pitch).
Kun transistorien läpi kulkeva virta käännetään pystysuoraan VTFET-rakenteen mukaisesti, hilojen ja liitäntöjen kokoa ei enää rajoiteta entiseen tapaan. CGP-mittaa voidaan skaalata vapaammin ja samalla pitää transistorin, hilan, liitännän ja eristyksen koon terveenä. Kun vaakasuora virran johtaminen ei enää rajoita transistoria, voidaan suuremman nielun ja lähteen läpi johtaa enemmän virtaa. Lisäksi hilan pituus voidaan paremmin optimoida virran ja vuotovirran hallintaan.
IBM:n tutkijoiden mukaan transistorien vaakasuoran pienempään skaalaamisen tiedettiin tulevan kehityksensä päähän aggressiivisemmilla viivanleveyksillä jo kymmenen vuotta sitten. Käytännössä valmistuksessa jokainen transistorin osa on tullut lähemmäksi fyysisiä rajojaan.
VTFET-transistori ratkaisee nämä ongelmat taas pitkäksi aikaa eteenpäin, tutkijat uskovat. Tekniikan kaupallistumisen aikataulua he eivät kuitenkaan ole halunneet arvioida.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.
