Miltä kuulostaisi älypuhelin, jonka akun saisi ladattua puolilleen viidessä minuutissa? Sellaista esitellään jo Barcelonan mobiilimessuilla. Asialla on realme ja sen uusi GT Neo 3 -malli, jota voidaan ladata 150 watin teholla. Laturin elektroniikan on kehittänyt Navitas Semiconductor.
Navitas tunnetaan galliumnitridipohjaisen tehoelektroniikan pioneerina. GaN-piireillä päästään suurempaan tehotiheyteen, nopeampaan kytkentään ja pienempään kokoon kuin perinteisillä piikomponenteilla. MWC-messuilla esillä oleva 150 watin laturi on kuitenkin tähän asti nopein markkinoilla.
Dimensity 8100 -prosessorilla toimiva realme GT Neo 3 sisältää teholtaan 150-wattisen laturin, jolle valmistaja on antanut nimeksi UltraDart. Navitaksen GaNFast-virtapiirien ympärille rakennetun 150 watin laturin ansiosta käyttäjät voivat hyödyntää tätä tekniikkaa lataamalla puhelimen 4 500 milliampeeritunnin akun 50 prosenttiin vain 5 minuutissa. Laturi on mitoiltaan 58 x 58 x 30 millimetriä, joten sen tehotiheys on ennätyksellinen 1,5 wattia kuutiosenttiä kohti.
GaN-piirit toimivat jopa 20 kertaa nopeammin kuin vanhat piisirut. GaNFast-piireille on integroitu GaN-fetin lisäksi latauksen ohjaus ja suojauspiiristö.
150 watin laturit ovat kevään aikana tulossa muihinkin uusiin puhelimiin. Esimerkiksi OnePlus on kertonut tuovansa tarjolle OPPOn laboratorioissa kehitetyn 150 watin SuperVOOC-tekniikan.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.