Nand-flashien valmistajat, etunenässään korealainen Samsung ja japanilainen Toshiba, ovat nyt kilvan tuomassa tarjolle ensimmäisiä 3d-rakenteisiin perustuvia sirujaan. Uusi konsepti hyödyttää valmistajia, sillä se pidentää koko flash-tekniikan elinikää.
Flash-siruissa valmistusprosessin kehittyminen on ollut todellinen kaksiteräinen miekka. Toisaalta se on tuonut nopeasti lisää kapasiteettia siruille ja alentanut niiden valmistuskustannuksia. Toisaalta yhä pienempi viivanleveys on aiheuttanut isoja teknisiä ongelmia.
Kun rakenteista tulee liian pieniä, varausten erojen tuottaminen ja havaitseminen hankaloittuu. Arvioiden mukaan 10 nanometrissä nand-siruista tulee epäkäytännöllisiä ja sen alla mahdottomia.
Kun nand-soluja rakennetaan myös pystysuoraan, ei tarvita yhtä tiukkaa prosessia saman tallennuskapasiteetin saavuttamiseksi. Esimerkiksi Samsungin ensimmäinen 3-ulotteinen V-NAND-piiri käyttää 24 kerrosta, joihin nand-solut rakennetaan.
Tarkkoja tietoja yhtiö ei ole julkistanut, mutta analyytikkojen arvion mukaan gigabitin saa 3d-rakenteena toteutettua lähes kolme kertaa suuremmalla viivanlaveydellä. Mikä tämä pitää paikkansa, 3d todellakin pidentää koko flash-tekniikan ikää merkittävästi.
Ei siksi ollut yllätys kuulla, että myös Toshiba ryhtyy ensi vuoden alussa valmistamaan nand-siruja 3d-tekniikalla. Täyteen tuotantovolyymiin japanilaisyritys uskoo pääsevänsä vasta vuonna 2015 eli hieman Samsungia jäljessä.
Elektroniikka- ja kodinkonekaupan yhdistys ETKOn lukujen mukaan Suomessa myytiin heinä-syyskuussa reilut 636 tuhatta puhelinta, mikä on 4,4 prosenttia enemmän kuin vuotta aikaisemmin. Rahassa mitattuna myynnin arvo sen sijaan laski 1,6 prosenttia.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.
