Viimeisen viiden vuoden ajan galliumnitridipohjaiset komponentit ovat kutistaneet älypuhelinten laturit samalla, kun se on tehnyt niistä pienempikokoisia. Nyt sama tapahtuu kannettavissa tietokoneissa. Lenovon uudet laturit ovat tästä erinomainen esimerkki.
GaNFast-latauspiireistään tunnettu Navitas Semioconductor kertoo, että sen seuraavan sukupolven tehopiirit on valittu Lenovon uusimpien GaN-laturien perustaksi. Uusi latureita on kaksi: Xiaoxin lataa kannettavia 105 watin teholla, Legion C nostaa tehon jo 170 wattiin.
Xiaoxin 105 W GaN -laturi tuottaa 105 W tehoa ja on varustettu kolmella portilla (2C1A), jotka tukevat useita protokollia. Näin yksi ja sama laturi täyttää helposti eri laitteiden lataustarpeet samanaikaisesti. Vain 206 grammaa painava 105 watin pikalaturi on 41 prosenttia kevyempi kuin tyypillinen 100 watin tietokonelaturi. Keskeistä on toki lataamisen nopeus. Xiaoxin 16 Pron lataaminen 50 prosenttiin kestää vain 34 minuuttia.
Legion C170 W GaN -laturi on suunniteltu erityisesti hardcore-pelaajille. Se tuottaa 170 W jatkuvaa tehoa yhden portin kautta vastaamaan pelilaitteiden suuriin tehovaatimuksiin. Laturi painaa vain 245 grammaa ja on 78 prosenttia kevyempi kuin Legion Y9000P:n alkuperäinen laturi. Pelikone latautuu uudella laturilla jopa 2 kertaa nopeammin kuin alkuperäisellä 140 watin powerilla.
Lenovo ja Navitas ovat tehneet latureissa yhteistyötä pitkään. Jo vuonna 2021 yhtiöt esittelivät kaksiporttisen YOGA CC65 -laturin. Lisäksi Navitasin piireillä on toteutettu 90 W:n laturin Lenovo Legion Pro -pelipuhelimeen ja 135 watin laturit Legion 5- ja 5 Pro Gen 7 -kannettaville.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
