Xiaomin uusi Redmi Note 12 Explorer on saanut mainetta markkinoiden tähän asti nopeimmalla lataustekniikallaan. 210 watin latausteho on uusi ennätyslukema Android-luureissa. Tällä teholla puhelimen 4300 milliampeeritunnin akku täyttyy nollasta sataan prosenttiin vain yhdeksässä minuutissa.
Laitteen laturissa käytetään Navitas Semiconductorin GaNFast-piirejä. Galliumnitridi-tehopiirit kytkevät 20 kertaa perinteisiä piisiruja nopeammin, joten tehonsyöttö on huippunopeaa. 210 watin laturi pystyy lataamaan puhelimen akun 66 prosentin kapasiteettiin vain 5 minuutissa.
Teholukemista huolimatta Redmi Note 12 Explorerin laturi on kooltaan vain 67,3 x 64,3 x 30 millimetriä. Laturin tehotiheys on 1,25 wattia kuutiosenttiä kohti.
Android-huippumallien nopeasti kasvanut latausteho perustuu käytännössä yksinomaan GaN-tehokompontteihin. Uuden Redmi-puhelimien latauspiirien toimittaja on kalifornialainen Navitas Semiconductor, jonka piireillä on viimeiden vuoden aikana rikottu lataustehoennätyksiä tiheään, kun latureissa on rikottu ensin 100 watin raja ja sitten pikavauhtia 200 watin raja.
Kun uusi Redmi-huippumalli latautuu nollasta sataan prosenttiin vain yhdeksässä minuutissa, herää tietenkin kysymys, kuinka nopeaksi lataus voi kehittyä. Tällä hetkellä rajan asettaa USB-väylän tehonsiirtostandardin eli PD 3.1-version 240 watin maksimiteho. Sellaisia latureita markkinoille on luvassa jo ensi vuonna.
GaN-piireissä tehon kasvattamisen rajan sanelee itse asiassa fysiikka, tarkemmin transistorin hila. Jos jännite on liian matala, kannattaa laturi edelleen tehdä piipohjaisilla komponenteilla. Jos jännite on liian korkea, hila hajoaa. Raja on noin 7 volttia. Sen yli GaN-piireillä ei voida mennä.
Laturivalmistajan pitää siksi löytää ihanteellinen latausjännite, jossa lataus on mahdollisimman nopeaa mahdollisimman kompaktissa koossa. Navitasin GaNSense-tekniikassa tuleva jännite reguloidaan 6,2 volttiin. Ratkaisulla voidaan syöttää 300 wattia tehoa ilman jäähdytystä.
300 watin teho on käytännössä mahdollista jo ensi vuonna. USB:n tehonsyöttöstandardi asettaa kuitenkin käytännön rajan, sen yli ei moni valmistaja halua mennä. Ja miksi menisi, kun isonkin akun lataa 240 watin teholla alle 10 minuutissa täyteen?
Infineon Technologies on tänään julkistanut AURIX TC4Dx -mikro-ohjaimen, joka on uusimman AURIX TC4x -perheen ensimmäinen jäsen. Uusi mikro-ohjain perustuu 28 nanometrin teknologiaan ja tarjoaa lisää suorituskykyä sekä korkeanopeuksisia yhteyksiä.
Viikon päästä alkavat Münchenissä ammattielektroniikan tärkeimmät messut, kun Electronica avaa ovensa. Tämä tarkoittaa, että messujen uusien tuotteiden vyöry on jo alkanut. Flex Power Systems lupaa esitellä Münchenissä uutta datakeskusten teholähdettään.
Intel on ollut viime aikoina uudenlaisissa huhuissa, kun yhtiötä on välillä pilkottu, välillä myyty. Kolmannen neljänneksen tulokseen kirjattiin massiiviset 16,6 miljardin dollarin tappiot, mutta pääjohtaja Pat Gelsinger sanoo silti, että Inteliä tai sen osia ei olla myymässä minnekään.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.
