Uusimpia 5 nanometrin ja sitä tiheämpien sirujen valmistaminen edellyttää ns. EUV-litografiaa, jossa rakenteiden valottaminen maskin läpi sirun pinnalle tapahtuu 13,5 nanometrin valolähteellä. Canon sanoo kehittäneensä tekniikan, jolla tiheimpien sirujen valmistus onnistuu yksinkertaisemmin ja pienemmällä tehonkulutuksella.
Optisten prosessien sijaan Canonin kehittämässä tekniikassa kuvioita painetaan kiekon pintaan ikään kuin sabluunalla. Kuvioiden resoluutio riippuu sabluunan tarkkuudesta. Samaan aikaan optisessa litografiassa joudutaan käyttämään erilaisia peili- ym. ratkaisuja, jotta kuviot saadaan valotettua kiekon pintaan.
Tämä nanopainamistekniikka (nanoimprint) valmistaa sirut painamalla piirikuviolla painettua maskia kiekon resistille kerrokselle ikään kuin leimasimella. Koska piirikuvion siirtoprosessi ei käy optisen mekanismin läpi, maskin hienot piirikuviot voidaan toistaa sellaisenaan kiekolle. Siten monimutkaisia kaksi- tai kolmiulotteisia piirikuvioita voidaan muodostaa samalla kertaa mikä voi alentaa valmistuskustannuksia.
Canonin NIL-tekniikka (nanoimprint) mahdollistaa kuvioinnin vähintään 14 nanometrin viivanleveydellä, mikä vastaa tämänhetkisen 5 nanometrin prosessia. Lisäksi maskiteknologian edelleen kehittyessä NIL-tekniikan odotetaan mahdollistavan piirikuvioinnin vähintään 10 nanometrin viivanleveydellä, mikä vastaa 2 nanometrin prosessia.
Koska uusi laitteisto ei vaadi mitään EUV-valonlähdettä, voi piirien valmistuksen virrankulutus pienentyä merkittävästi tämän hetken prosesseihin verrattuna.