Infineon sanoo saaneensa päätökseen kaupan, jolla se ostaa esimerkiksi älypuhelinten pikalaturit mahdollistaneen galliumnitridi- eli GaN-tekniikan kehittäneen GaN Systemsin. On mielenkiintoista seurata, pystyykö Infineon viemään pikalatausta vielä nykyistä pidemmälle?
GaN-transistorit ovat monin tavoin piitä etevämpiä. Niiden avulla laturista saadaan neljä kertaa pienempi, neljä kerta kevyempi ja neljä kertaa tehokkaampi. Niinpä kännykkälatureista on saatu ulos jopa 240 watin tehoja ilman, että laturia tarvitsee erikseen jäähdyttää.
GaN-tehokomponenteilla voidaan toteuttaa laitteita eri jännitealueille. Suuremmissa jännitteissä piikarbidi eli SiC on kuitenkin se laajan kaistaeron materiaali, joka valtaa markkinoita piipohjaisilta mosfeteilta.
Alle 1,5 kilowatin tehoissa GaN-transistoreilla on omat rajoitteensa. 7 volttia on maksimitasavirtajännite, jolla transistorin hilaa voidaan ajaa. GaN Systemsin mukaan 6 V on hyötysuhteen kannalta paras jännitepiste, vaikka HEMT-transistorit kestävätkin 10-20 voltin piikkejä.
Osana Infineonia GaN-puolijohteet pääsevät saksalaisyrityksen massiivisen tuotantokoneen piiriin, joten odotettavissa on suurempia volyymejä ja sitä kautta alenevia hintoja. Tämä tekee GaN-tekniikasta kilpailukykyisemmän markkinoita nykyisin hallitsevan piipohjaisten komponenttien rinnalla. Erityisen mielenkiintoista on seurata, millä tavoin Infineonin tutkimusorganisaatio voi edistää GaN-transistorien kehitystä erityisesti lähellä kilovoltin jännitteitä.
Pienemmissä tehoissa kuten älypuhelinlatureissa näyttää siltä, että GaN-tekniikka on jo löytänyt jonkinlaisen sweet spottinsa. Vaikka moni valmistaja on esitellyt jopa yli 200 watin pikalatureita, nämä tehot heikentävät akkua nopeammin. Tämän takia valmistajat ovat palanneet takaisin alle sadan watin tehoihin, koska niilläkin puhelimen saa ladattua käyttäjän kannalta aivan riittävän nopeasti, tyypillisesti noin puolessa tunnissa.
Infineon maksoi GaN Systemsistä 830 miljoonaa dollaria.