Intialaiset tutkijat ovat valmistaneet ensimmäinen tandem- eli kaksikerrosrakenteeseen perustuvan aurinkokennon, jossa toinen kerros perustuu hiilinanoputkiin. Tuloksena oli ennätyksellinen 38,91 prosentin hyötysuhde.
Asialla ovat Madan Mohan Malaviyan teknisen korkeakoulun tutkijat. Kehitetyssä ennätyskennossa ensimmäinen kerros on CIGS-tyyppiä eli perustuu kuparin, indiumin, galliumin ja diselenidin yhdistelmään. Pohjakenno perustuu yksiseinäisiin hiilinanoputkiin.
Tiettävästi tämä on ensimmäinen kerta, kun tandem-kennossa kokeillaan vastaavaa yhdistelmää. Aiemmin hiilinanoputkia on pidetty yhtenä vaihtoehtona aurinkokennoissa koska niiden optoelektroniset ominaisuudet, joustavuus, kemiallinen vakaus ja virran helppo johdettavuus sopivat suuren pinta-alan peittämiseksi.
Tutkijoiden mukaan kennon alemman kerroksen kaistaero on 1,24 eV ja ylemmän 1,18 eV. Tämä varmistaa tutkijoiden mukaan, että pohjakerros absorboi korkeammat aallonpituudet, jotka tulevat ylemmän kerroksen läpi.
Ylempi CGIS-kenno on 2000 nanometrin paksuinen ja sen tehonmuunnoshyötysuhde on 23,69 prosenttia. Kerroksen avoimen piirin jännite on 0,7437 V. Alempi hiilinanoputkikerros on saman paksuinen, ja sen maksimitehonmuunnostehokkuus on 17,10 prosenttia ja avoimen piirin jännite 0,5653 V.
Tekniikan kaupallistamisesta tutkijat eivät ole vielä sanoneet mitään.
Elektroniikka- ja kodinkonekaupan yhdistys ETKOn lukujen mukaan Suomessa myytiin heinä-syyskuussa reilut 636 tuhatta puhelinta, mikä on 4,4 prosenttia enemmän kuin vuotta aikaisemmin. Rahassa mitattuna myynnin arvo sen sijaan laski 1,6 prosenttia.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.
