San Fransiscossa ISSCC-konferenssissa esitellään tällä viikolla puolijohdetekniikan tulevaisuuden ratkaisuja. Intel lupailee esityksissään, että Mooren laki elää vielä ainakin vuoteen 2018 asti. Tällä hetkellä Intel valmistaa piirejä volyymeissä 14 nanometrin prosessissa. Yhtiön tutkimusguru Mark Bohr lupaa nyt, että vuonna 2016 on vuorossa 10 nanometriä. Ja vuonna 2018 Intel siirtyy jo 7 nanometrin viivanleveyteen.
Bohrin mukaan seitsemään nanometriin päästään ilman uusia, eksoottisia valmistustekniikoita. Käytännössä tämä tarkoittaa, ettei 7 nanometriä vaadi EUV-litografialaitteistoja.
Bohrin mukaan Intelin 10 nanometrin pilottituotantolinja toimii hyvin. Tämän mukaan on syytä päätellä, että 10 nanometriä tulee tuotantoon yhtiön nykyisen Tick-tock -aikataulun mukaisesti jo ensi vuonna.
Uusista mikroprosessoreista tuttu 14 nanometrin Tri-Gate-transistori tuo muihinkin piireihin lisää suorituskykyä, kuten Intelin ISSCC-esitykset osoittavat. Esimerkiksi 10 gigabitin sarjaliitäntä saadaan 14 nanometrillä kutistettus 0,065 neliömilliin ja sen tehonkulutus 59 milliwattiin. Käytännössä tämä tarkoittaa, että tulevaisuude nopeammat reitittimet kuluttavat yhä vähemmän tehoa, vaikka dataa niiden läpi siirtyykin kiihtyvällä vauhdilla.
Samoin 14 nanometrin prosessi kutistaa SRAM-solun ennätyspieneksi. ISSCC:ssä Intel esittelee 1,5 gigahertsin nopeudella toimivaa 84 gigabitin SRAM-piiriä, jossa yksi solu vie piillä tilaa 0,05 neliömikronia.