Belgialainen mikroelektroniikan tutkimuskeskus IMEC ja EDA-talo Cadence ilmoittavat saaneensa piille maailan ensimmäisen 5 nanometrin prosessissa valmistetun testipiirin. Valmistuksessa käytettiin sekä EUV-litografiaa, että immersiolitografiaa 193 nanometrin laserilla.
Näin tiheiden piirien valotus on erittäin hankalaa, koska normaalisti käytössä oleva 193 nanometrin askelvalottimella on vaikea päästä 5 nanometrin resoluution vaatimiin kuvioihin.
IMEC ja Cadence käyttivät olemassaolevaa prossorisuunnittelua, jonka suunnittelusäännöt, kirjastot sekä sijoitus- ja reititystiedot optimoitiin Cadencen Innovus-työkaluilla.
Kun piirin kuvioita valotettiin, esimerkksi metalloinnit skaalattiin nimellisestä 32 nanometrin etäisyyksista 24 nanometriin. Tässä hyödynnettiin ns. SAQP-tekniikkaa (Self-Aligned Quadruple Patterning), jolla 193 nanometrin laserilla saatii immersiotekniikalla toteutettua tihempäi geometria.
Immersio viittaa linssirakenteeseen, jossa laserin resoluutiota parannetaan viemällä ne nesteiden läpi valotettavalle pinnalle.
Projektin tarkoituksena oli osoittaa, että valmistuksessa voidaan mennä 5 ja sitä tihempiinkin prosesseihin. Lisäksi IMEC ja Cadence osoittivat, että EDA-työkalut taipuvat myös tulevien prosessisukupolvien vaatimuksiin.