Tutkijat ovat jo pitkään yrittäneet löytää DRAM-muistille korvaajaa, joka olisi yhtä nopea mutta kuluttaisi selvästi vähemmän sähköä. Monia yrittäjiä on ollut, mutta toistaiseksi uusi muisti on jäänyt löytämättä.
Nyt Lancasterin yliopiston tutkijat sanovat kehittäneensä tällaisen universaalin muistin, joka olisi yhtä nopea, mutta kuluttaisi vain prosentin siitä energiasta, joka DRAM-muistin jatkuvaan virkistämiseen kuluu. Uusi muisti voisi periaatteessa korvata sekä DRAM- että flash-muistit tietokoneissa.
Tutkijat ovat julkaisseet löydöksensä IEEE:n Transactions on Electron Devices -lehdessä. He kutsuvat sitä haihtumattomaksi RAM-muistiksi eli NVRAMiksi. Kaupasta piirejä ei toki voi vielä ostaa, eivätkä tutkijat ole vielä valmistaneet siruja, mutta simuloinneissa sen suorituskyky on todistettu.
Käytännössä NVRAM voisi korvata nimenomaan nykyiset DRAM-piirit. NAND-tekniikan tiheys kasvaa tällä hetkellä erittäin nopeasti uusien 3D-arkkitehtuurien ansiosta, joten moneen sovellukseen se on erinomainen massamuisti jo edullisuutensakin takia.
Nykyisen DRAM-arkkitehtuurin iso ongelma tehonkulutuksen osalta on lukuprosessin destruktiivisuus: kun dataa luetaan, koko bittirivin varaus katoaa. Se pitää siksi virkistää uudelleen, mikä nostaa tehonkulutusta.
Tutkijoiden mukaan heidän NVRAM-piirinsä III-V-ryhmien materiaaleista (indium, arseeni, alumiini, antimoni) koostettu rakenne ei menetä varauksia, vaikka se toimii alhaisilla noin 2 voltin jännitteillä. Luku- ja kirjoitusnopeus on simulaatioiden perusteella DRAM-luokkaa, mutta tehonkulutus 99 prosenttia pienempi.
Käytännössä kyse on universaalista muistista, joka olisi nopea kuin DRAM mutta säilyttäisi datansa myös ilman virtaa. Käytännössä vaikkapa PC käynnistyisi välittömästi, kun siihen kytketään virta.
Mikäli ensi vuosikymmenen mullistava muistitekniikka kiinnostaa, siihen voi tutustua tutkijoiden artikkelissa.
