Tutkijat ovat vuosikausia kehittäneet muistitekniikkaa, joka voisi korvata sekä nopeat DRAM-muistit että haihtumattomat flash-muistit. Lancasterin yliopistossa Englannissa on kehitetty tällainen muisti. Sen nimeksi on valittu UltraRAM ja sen kaupallistamiseksi on perustettu oma yrityksensä.
Yliopiston fysiikan professori Manus Haynen keksimä UltraRAM on uudenlainen muisti, jolla on poikkeukselliset ominaisuudet. Siinä yhdistyvät flashin haihtumattomuus työmuistin, kuten DRAM:n, nopeuteen, energiatehokkuuteen ja kestävyyteen.
Ultramuisti hyödyntää kvanttiresonanssitunnelointia yhdistepuolijohteissa eli materiaaleissa, joita käytetään yleisesti fotonipiireissä kuten ledeissä, laserdiodeissa ja infrapunailmaisimissa. Digitaalisessa elektroniikassa fotonipiirejä ei ole käytetty, vaan se on ollut piin temmellyskenttää.
UltraRAM-muistissa pieni hilajännite purkaa 3-kerroksisen eristyksen ja päästää elektronit virtaamaan nielusta kelluvaan hilaan. Jännitteen poistaminen eristää elektronit hilaan. Menetelmä on 10 kertaa DRAM-tallennusta nopeampi ja bitit pysyvät muistissa yli 1000 vuoden ajan.
Yhtiön arvion mukaan yhden bitin kytkeminen 20 nanometrin viivanleveydellä on kuluttaa energiaa sadasosan DRAM-piirin tehonkulutuksesta, tuhannesosan flash-muistin tehonkulutuksesta ja 104-107 kertaa vähemmän kuin muissa työn alla olevissa uusissa muistitekniikoissa.
Alun perin Yhdysvalloissa patentoidun teknologian lisäpatentteja kehitetään parhaillaan keskeisillä teknologiamarkkinoilla ympäri maailmaa. UltraRAM-yrityksen mukaan uutta muistia voidaan hyödyntää laajasti eri alueilla: pilvilaskennassa, kulutuselektroniikassa, IoT-laitteissa, avaruustekniikassa, erittäin kylmän lämpötilan eli ns. kryoelektroniikassa sekä monessa muussa.
