Kiinaan ei ole saanut myydä uusinta mikropiirien valmistustekniikkaa, eikä kiinalaisyrityksille ole saanut valmistaa piirejä uusimmissa prosesseissa useampaan vuoteen, mutta näyttää siltä, että Kiina saavuttaa nyt länttä kovaa vauhtia. Tähän viittaavat uutiset Huawei tytäryhtiö HiSiliconista.
HiSilicon on Huawein puolijohderyhmä, joka valmistaa siruja yhtiön älypuhelimiin ja tukiasemiin. Nyt verkossa on raportoitu HiSiliconin uuden Taushan V120 -ytimen Geekbench 6 -tuloksista. Yhden ytimen testin pistemäärä osoittaa, että Taishan V120 -ytimet ovat suurin piirtein AMD:n Zen 3 -ytimien tasolla vuoden 2020 lopulla.
Kolmen vuoden ero suorituskyvyssä voi kuulostaa suurelta, mutta pitää muistaa, että SMIC eli Kiinan mikropiirien valmistuspalveluja tarjoava yritys, jota HiSilicon käyttää, ei voi hyödyntää uusimpia 5 tai 3 nanometrin prosesseja. Ilmeisesti piirit on valmistettu 7 nanometrin prosessissa.
Taishan V120 -ydin havaittiin ensimmäisen kerran Huawein Kirin 9000s -älypuhelinpiirissä, joka käyttää neljää ydintä kahden Arm Cortex A510 -ytimen rinnalla. Koska Kirin 9000s -sirut valmistetaan käyttämällä SMIC:n toisen sukupolven 7 nanometrin prosessissa, on tämä todennäköisesti myös Taishan V120 -ytimen viivanleveys.
Taishan V120:n testilukema oli 1527. AMD EPYC 7413 -prosessorin tulos samassa (single-core) testissäoli 1538 eli suorituskyky on käytännössä aivan sama. PEYC 7413 on Milan-perheen palvelinprosessori. Geekbench 6 -tulosten mukaan Huawein prosessori toimi 2,9 gigahertsin kellotaajuudella, kun AMD:n piiri kiihdyttää parhaimmillaan 3,6 gigahertsiin.
Keskeistä lukujen takana on se, että yritykset estää kiinalaisten prosessorien kehittyminen ovat onnistuneet hidastamaan prosessia, mutta eivät estämään sitä. Vasta myöhemmin voidaan esittää arvioita siitä, oliko kiinalaisten mikropiirien valmistuksen hankaloittaminen järkevä valinta, kun toisessa vaakakupissa painoi monen länsimaisen yrityksen sulkeminen Kiinan markkinoilta.
