Samsung Electronics on kehittänyt markkinoiden ensimmäisen 24 gigabitin GDDR7 DRAM -muistin. GDDR7 tarjoaa paitsi alan suurimman kapasiteetin myös nopeimman suorituskyvyn, mikä tekee siitä optimaalisen ratkaisun seuraavan sukupolven sovelluksille.
24 gigabitin GDDR7:n korkea kapasiteetti ja tehokas suorituskyky tekevät siitä ihanteellisen ratkaisun laajoihin sovellusalueisiin, jotka vaativat huipputason muistisovelluksia, kuten datakeskukset ja tekoälytyöasemat. Näin se laajentaa grafiikkamuistin perinteisiä käyttöalueita, joihin kuuluvat grafiikkakortit, pelikonsolit ja autonominen ajaminen.
Piirit hyödyntävät viidennen sukupolven 10 nanometrin (nm) luokan DRAM-prosessia, joka mahdollistaa solutiheyden kasvattamisen 50 prosentilla. Samalla kotelokoko säilyy entisellään.
Edistyneen prosessiteknologian lisäksi käytetään PAM3-signalointia, joka auttaa saavuttamaan grafiikkamuistien alan johtavan nopeuden, 40 gigabittiä sekunnissa. Tämä on 25 prosenttia enemmän kuin edellisessä versiossa. GDDR7:n suorituskyky voi parantua jopa 42,5 gigabittiin sekunnissa käyttöympäristöstä riippuen.
Myös energiatehokkuutta on parannettu soveltamalla teknologioita, joita on aiemmin käytetty mobiilituotteissa. Käyttämällä esimerkiksi kellosignaalin hallintaa ja kaksois-VDD-suunnittelua, tarpeetonta tehonkulutusta voidaan merkittävästi vähentää, mikä parantaa energiatehokkuutta yli 30 prosentilla.
Samsungin mukaan 24 gigabitin GDDR7 -muistin validointi seuraavan sukupolven tekoälylaskentajärjestelmissä alkaa tänä vuonna merkittävien GPU-asiakkaiden kanssa. Kaupallisesti piirit tulevat tarjolle ensi vuoden alkupuolella.
