Taiwanilainen puolijohdevalmistaja TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) on ilmoittanut aloittavansa uuden sukupolven 2 nanometrin sirujen tuotannon vuoden 2025 viimeisellä neljänneksellä. Tämä merkitsee merkittävää edistysaskelta puolijohdeteknologiassa, sillä uudet 2nm-sirut tuovat huomattavia parannuksia suorituskykyyn ja energiatehokkuuteen.
2nm-prosessi, joka tunnetaan nimellä N2, otetaan käyttöön yhtiön Fab 20 -tehtaassa Hsinchussa, Taiwanissa, jonka kapasiteetti on 30 000 piikiekkoa kuukaudessa. Pian tämän jälkeen Kaohsiungissa sijaitseva Fab 22 -tehdas aloittaa tuotantonsa vuoden 2026 ensimmäisellä neljänneksellä samalla kuukausikapasiteetilla.
2nm-prosessi hyödyntää uutta Gate-All-Around (GAA) -transistoriteknologiaa, joka parantaa suorituskykyä ja vähentää energiankulutusta. Verrattuna aiempaan N3E-prosessiin N2-prosessi tarjoaa 10–15 % suorituskykyparannuksen samalla tehonkulutuksella tai vaihtoehtoisesti 25–30 % energiansäästön samalla suorituskyvyllä. Lisäksi N2 on 15 % tiheämpi kuin N3E, mikä mahdollistaa entistä tehokkaamman piisirujen valmistuksen.
N2-prosessi sisältää myös uuden NanoFlex-teknologian, joka mahdollistaa eri suorituskyky- ja tehonkulutusvaatimuksiin optimoitujen komponenttien yhdistelyn samassa suunnittelussa. Tämä antaa sirusuunnittelijoille enemmän joustavuutta parantaa tuotteidensa suorituskykyä.
TSMC:n toimitusjohtaja C.C. Wei on ilmoittanut, että yhtiön 2nm-prosessille suunniteltu kapasiteetti on jo suurempi kuin nykyiselle 3nm-prosessille, mikä kertoo asiakkaiden vahvasta kysynnästä.
