Tekoälypalvelimien muistiratkaisuihin on nousemassa uusi haastaja. Japanilais-amerikkalainen yhteisyritys SAIMEMORY kehittää Z-Angle Memoryä eli ZAM-muistia, jonka tavoitteena on tarjota korkea kapasiteetti, suuri kaistanleveys ja selvästi nykyisiä ratkaisuja parempi energiatehokkuus.
ZAM on suunniteltu nimenomaan suurten AI-mallien koulutukseen ja inferenssiin datakeskuksissa. Kehitystyössä on mukana Intel, ja teknologia pohjautuu Intelin Next Generation DRAM Bonding -ohjelmassa kehitettyihin pinoamistekniikoihin. Prototyyppien on määrä valmistua tilikaudella 2027 ja kaupallistamisen tavoite on 2029.
Nykyiset AI-kiihdyttimet käyttävät laajasti High Bandwidth Memory -muistia, joka tarjoaa erittäin suuren kaistanleveyden mutta kärsii kasvavista lämpö- ja energiatiheysongelmista. ZAM pyrkii ratkaisemaan nämä arkkitehtuuritasolla.
Perinteisen pystysuuntaisen TSV-läpivientirakenteen sijaan ZAM hyödyntää vinosti kulkevia interconnect-yhteyksiä. Sirujen välinen liitos toteutetaan kupari-kupari-hybridisidonnalla ilman juotepalloja, jolloin muistipino muodostaa käytännössä yhtenäisen piiblokin. Kun keskeltä poistetaan TSV-kenttä, rakenteen kiinteä piiydin toimii samalla lämpöä johtavana pystysuuntaisena levittäjänä.
Ratkaisun väitetään mahdollistavan 40–50 prosenttia pienemmän tehonkulutuksen sekä jopa 2–3 kertaa suuremman tiheyden verrattuna HBM-muisteihin. Julkisia suorituskykymittauksia ei kuitenkaan ole vielä esitetty.
ZAM:n arkkitehtuurin odotetaan parantavan nimenomaan suorituskykyä wattia kohden. Se ei välttämättä ensimmäisessä sukupolvessa ylitä HBM:ää absoluuttisessa kaistanleveydessä, mutta tavoitteena on parempi kokonaisjärjestelmätason tehokkuus AI-kiihdyttimissä.
