10 nanometrin on DRAM-piirien valmistuksen viivanleveyden teoreettinen raja. Viimeiset viisi vuotta valmistajat ovat toimittaneen markkinoille piirejä, jotka on valmistettu 10-19 nanometrin prosessissa. Nyt Micron on esitellyt tähän asti tiheimmän prosessin.
Micron kutsuu prosessiaan nimellä 1α. Tarkkaa viivanleveyttä valmistajat eivät ole enää vuosiin ilmoittaneet, mutta1α viittaa 10-11 nanometriin. DRAM-transistoritiheydessä saadaan 40 prosentin parannus edelliseen 1z-prosessiin verrattuna, joten kyse on merkittävästä edistysaskeleesta.
Micron sanoo käyttävänsä uutta prosessia 8 ja 16 gigabitin DDR4- ja LPDDR4-muistien valmistukseen jo tänä vuonna. Lisäksi prosessia voidaan hyödyntää tulevien 176 metallointikerrosten NAND-piirien valmistuksessa.
Micronin mukaan uusi prosessi parantaa useimpien laitteiden suorituskykyä. DRAM-muisteja tarvitaan kaikessa älypuhelimista autoihin. Micron aikoo tuoda prosessinsa tarjolle kaikille eri tuotesektoreilla.
Siinä missä prosessoreissa – esimerkiksi älypuhelimien sovellusprosessoreissa – piirejä valmistetaan jo 5 nanometrin viivanleveydellä, 10-11 nanometriä on DRAM-piireissä merkittävä saavutus. Micronin mukaan 1α-piirien johtimet valotetaan edelleen 193 nanometrin laserilla eli ”vanhoilla askelvalottimilla”. Tämä edellyttää tuhansia prosessivaikeita, jotta valtavan paksulla valonsäteellä voidaan vaiheittain monimutkaisen linkkijärjestelmän läpi tuottaa erittäin ohuita kuvioita kullekin kerrokselle, joita DRAM-piireissä on tusinoittain.
Puolijohdevalmistus saattaa hyvinkin olla hankalin teollisuudenala koko maailmassa. Micronin mukaan EUV-prosessi, jossa kuvioita valotetaan 13,5 nanometrin ultraviolettivalonlähteellä, ei ole vielä valmis. EUV-valon aallonpituus on niin lyhyt, ettei se läpäise mitään tämän hetken optiikkaa, Micron perustelee.
Jos DRAM-valmistuksessa halutaan siirtymä 1α-prosessista eteenpäin, siinä on käytännössä pakko siirtyä EUV-prosessiin. Se lienee Micronillakin seuraavaksi edessä.
