Erityisesti matkustaessa eri laitteiden laturiviidakko käy yleensä hermoille. Paras ratkaisu tähän olisi yksi ainoa laturi, johon eri laitteet liitettäisiin USB-väylällä. Nyt tällainen laturi on tulossa mahdolliseksi. Taustalla on Dialog Semiconductor ja sen kehittämä galliumnitridipohjainen tehoelektroniikka.
GaN-tekniikka on ollut olemassa jo vuosikymmenen ajan. Sen avulla voidaan valmistaa nopeimmat ja hyötysuhteeltaan parhaat tehotransistorit, sekä pienentää tehoratkaisun vaatimaa tilaa ja lopulta myös kustannuksia.
- Nyt galliumnitridi on valmis. Tähän asti GaN-piireillä on yritetty suoraan korvata fetit tehoelektroniikassa. Se on ollut väärä lähestymistapa, sanoo Dialog Semiconductorin strategiajohtaja Mark Tyndall.
Dialogin ratkaisu on toisenlainen. Se tarjoaa kokonaisratkaisua eli laitteen koko tehoelektroniikkaa. SmartGaN-nimellä kehitetty tekniikka konkretisoituu ensimmäiseksi half brick -kokoisena DA8801-piirinä. Samalla piiri on ensimmäinen TSMC:n linjoilla valmistettu kaupallinen GaN-piiri.
- Tekniikkamme avulla voimme kutistaa 45 watin laturin kokoon, joka on totuttu näkemään 25 watin latureissa, sanoo Tyndall. Käytännössä läppärinkin lataamiseen riittävä teholähde sopii pieneen, kännykkälaturista tuttuun kokoon. Läppärin laturin koko kutistuu puoleen, samoin tehohäviöt lataamisessa.
DA8801-tehopiiriä Dialog tarjoaa laturissa PSR-ohjaimen ja Rapid Charge-ohjaimen väliin. Jäkimmäinen tukee esimerkiksi Qualcommin QuickCharge-standardeja sekä Mediatekin Pump Express -pikalatausta. Mikäli laturi on liitetty älypuhelimeen, jossa on Dialogin oma ohjainpiiri, päästään hyötysuhteessa seinästä kännykän akkuun yli 91 prosenttiin. Tämä lukema on erittäin korkea.
Mark Tyndallin mukaan DA8801-piiri on vasta ensimmäinen SmartGaN-sarjassa. Sitä on tarkoitus kasvattaa 45 ja 65 wattiin ja lopulta aina kilowatin sovelluksiin asti, siis älypuhelimista läppärien kautta aina palvelimiin saakka.
