Gallium-nitridi on korvannut muutamassa vuodessa piipohjaiset tehopuolijohteet mobiililaitteiden latureissa. Tekniikan etuja hyödynnetään myös uusissa Hyperin matkalatureissa, jotka esiteltiin 100 ja 70 watin teholuokkiin.
Älykkäät laturit lataavat yhtäaikaisesti jopa neljä laitetta ja syöttävät kuhunkin laitteeseen juuri oikean latausvirran. Yhtiön mukaan laturit toimivat 22 prosenttia viileämpinä kuin kilpailevat laitteet. Tämä perustuu Hyperin mukaan tarkkaan valittuihin komponentteihin.
Laturien salaisuus on kuitenkin gallium-nitridi eli GaN-tekniikka. Galliumnitridistä valmistetut puolijohteet muuntavat pistorasiasta tulevan vaihtovirran tasavirraksi. Useimmat GaN-latureista ovat USB-C-seinälatureita, jotka kytketään suoraan pistorasiaan ja joissa on yleiset USB-C-portit virransyöttöä varten.
Piihin verrattuna gallium-nitridillä on monia etuja. GaN-latureilla on korkeammat läpilyöntijännitteet ja nopeammat vasteominaisuudet kuin perinteisillä piilatureilla. Näiden ominaisuuksien ansiosta GaN-laturit pystyvät käsittelemään paremmin sähköverkon vaihtelut, mikä vähentää sisäisten ja latauslaitteiden vaurioitumisen riskiä. Siksi GaN-laturit tarjoavat luotettavamman ja turvallisemman latauksen.
GaN-komponentit toimivat myös korkeammilla taajuuksilla ja sillä voidaan saavuttaa korkerampi hyötysuhde tehonmuunnoksessa. Tämän ansiosta komponentit ovat pienempi, joten latureista saadaan kompaktimpia. Galliumnitridi voi ylläpitää hyvää korkeataajuista suorituskykyä korkeissa lämpötiloissa, jolloin laturi voi ladata tehokkaasti vaikka lämpenisi.
70 watin HyperJuice-laturi maksaa Targusin verkkokaupassa 60 puntaa.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
