Tekoälypalvelimien ja robottien tehonsyötössä jokainen milliohmi merkitsee kasvavia häviöitä, kun virrat nousevat suuriksi. Nexperia esittelee Münchenin Electronica-messuilla uusia GaN-transistoreita, joiden johtavan tilan resistanssi painuu alimmillaan 0,32 milliohmiin.
Nexperian uusi GaN-komponenttiperhe kattaa 18–200 voltin jänniteluokat. Transistorit on tarkoitettu erityisesti suurta tehotiheyttä vaativiin DC-DC-muuntimiin, tekoälypalvelimien virransyöttöön sekä robottien ja muiden sähkömoottorikäyttöjen ohjaukseen.
Erittäin pieni johtavan tilan resistanssi RDS(on) vähentää transistorin johtohäviöitä. Samalla GaN-tekniikan nopea kytkentä mahdollistaa suuremmat kytkentätaajuudet ja pienemmät kytkentähäviöt. Näin tehomuuntimista voidaan rakentaa entistä pienempiä ja energiatehokkaampia.
Erityisen kiinnostava sovellusalue on tekoälydatakeskusten 48 voltin tehonsyöttö. Nexperian 100–200 voltin transistorit soveltuvat muun muassa synkroniseen tasasuuntaamiseen ja resonanssimuuntimiin. Pienemmille 18–40 voltin komponenteille löytyy käyttöä esimerkiksi 12 voltin jännitteen muuntamisessa prosessoriytimien alle yhden voltin käyttöjännitteiksi.
Uuden sarjan kärkimalli GANE0R8-100QTM on 100 voltin GaN-transistori, jonka tyypillinen johtavan tilan resistanssi on vain 0,75 milliohmia. Komponentti on pakattu 3 × 5 millimetrin PQFN-koteloon, jossa lämmönpoisto tapahtuu myös kotelon yläpinnan kautta.
Nyt saataville tulee kuusi komponenttia, joiden pienin ilmoitettu resistanssi on 0,37 milliohmia. Vuoden 2027 ensimmäisellä neljänneksellä valikoima täydentyy kahdella transistorilla. Niistä 18 voltin GANE0R3-015QTL saavuttaa 0,32 milliohmin tyypillisen resistanssin.
Teollisuuden sulautetut järjestelmät suunnitellaan usein 10–15 vuoden käyttöikää varten. Muistitekniikka ja komponenttien saatavuus muuttuvat kuitenkin huomattavasti nopeammin. Kingstonin Suomen liiketoiminnan kehityspäällikkö Mikko Maanoja korostaa, että muistivalinnat ja komponenttien elinkaaren hallinta on otettava huomioon jo laitteen suunnitteluvaiheessa.
Saksalainen Rohde & Schwarz on esitellyt Münchenin Electronica-messuilla uuden FNH-käsianalysaattorin, joka yhdistää spektrianalyysin, reaaliaikaisen spektrianalyysin, vektoriverkkoanalyysin ja tehomittaukset samaan laitteeseen. Uutuuden merkittävin tekninen ominaisuus on jopa 125 megahertsin reaaliaikainen analyysikaista, joka on valmistajan mukaan luokkansa levein.
Emerson laajentaa NI PXI-mittalaitevalikoimaa uusilla, aiempaa edullisemmilla moduuleilla. Samalla yhä useammat mittausjärjestelmät pääsevät hyödyntämään Nigel-tekoälyavustajaa, joka nopeuttaa automatisoitujen testien kehittämistä ja vianetsintää.
5G-yhteyden rakentamiseen ei välttämättä tarvita matkapuhelinoperaattoria, SIM-kortteja eikä lisensoitua radiotaajuutta. DECT NR+ tuo 5G-standardin ominaisuuksia paikallisiin IoT-verkkoihin, joissa tarvitaan pitkää kantamaa, pientä viivettä ja luotettavaa tiedonsiirtoa. Uusi tekniikka yhdistää itsestään järjestäytyvän mesh-verkon, energiatehokkuuden ja nopean tiedonsiirron tavalla, joka haastaa monet nykyiset langattomat ratkaisut.