GaNSystems on erikoistunut galliumnitridipohjaiseen tehoelektroniikkaan. Yhtiön uusin tuote on valmis referenssiratkaisu, jonka pohjalta voidaan kehittää markkinoiden pienimmät 100 watin lataustehon tuovat mobiililaitteiden laturit. Laajan kaistaeron GaN on usein paras valinta, jos tehonsiirrossa tarvitaan nopeita kytkentätaajuuksia.
Galliumnitridi on piikarbidin ohella toinen uusi materiaali, joka on korvaamassa perinteistä piitä tehoelektroniikan materiaalina. Sen avulla voidaan saada paras hyötysuhde ja energiatehokkuus erityisesti tehosyöpöissä sovelluksissa.
GaN on kuitenkin vasta käyttönsä alkutaipaleella. Tehoelektroniikan markkinat olivat viime vuonna kooltaan 35,1 miljardia dollaria, mutta GaN-piirien myynti oli vain hieman yli 50 miljoonaa dollaria.
Hieman vauhdikkaammin lentoon on lähtenyt piikarbidi, joka sopii korkeisiin lämpötiloihin kovissa olosuhteissa. Lisäksi SiC-piirejä voidaan ohjata samoilla ratkaisuilla kuin perinteisiä pii-MOSFETteja. Piikarbidi onkin hyvä vaihtoehto piille silloin, jos haetaan enemmän suorituskykyä. Esimerkiksi sähköauton invertteri on hyvä esimerkki tällaisesta.
Markets&Markets-tutkimuslaitos ennustaa, että tehoelektroniikan markkinat kasvavat 44,2 miljardia dollariin vuonna 2025. Kasvu on vuositasolla tasaista lähes viiden prosentin vauhtia. Pii säilyy edelleen pitkään ykkösmateriaalina, koska se sopii parhaiten suurten volyymien kustannustehokkaaseen tuotantoon.
GaNSystemsin laturin referenssimalli kuitenkin kuvaa, mihin ollaan menossa. Esimerkiksi datakeskusten palvelimien tehonsyötössä pii-MOSFETtien korvaaminen GaN-transistoreihin pohjaavilla piireillä tuo kaksinkertaisen tehon samassa koossa tai saman tehon puolessa koossa. Kun palvelinratkaisuja yritetään koko ajan kutistaa, tämä on aika vahva argumentti.
GaNSystemsin referenssi on myös erittäin älykäs. Se osaa esimerkiksi jakaa tehonsa kahdelle eri laitteelle. Niitä voidaan ladata esimerkiksi 65 ja 30 watin teholla tai kahdella 45 watin syötöllä. Hyötysuhde on parhaimmillaan 92,5 prosenttia. Lisätietoja täällä.