1960-1980-luvuilla silloinen Neuvostoliitto lähetti Venera-projektissa useita luotaimia Venuksen pinnalle. Pisimpään vihamielisen planeetan pinnalla toimi Venera 13, joka onnistui lähettämään dataa maahan 2 tunnin ja 7 minuutin ajan. Sen jälkeen elektroniikka hajosi. Piipohjaisilla piireillä Venukseen ei ole asiaa.
Onneksi apuun tulee jo 1800-luvun puolella keksitty yhdiste, jossa sekoitetaan 1:1-suhteessa piitä ja hiiltä. Tarkoitus oli tuolloin valmistaa timantti, mutta nyt yhdiste on kaupallisiin tehoelektroniikan sovelluksiin vahvasti tuleva piikarbidi. Sen avulla ihminen saattaa pystyä tutkimaan Venuksen pintaa vähän pidempään.
IEEE Spectrumin artikkelissa muistutetaan, että Venuksen pinnalla on keskimäärin 464 celsius-asteen lämpötila. NASAn Glenn-tutkimuskeskuksessa on käytetty SiC-piirejä yli vuoden ajan 500 celsiuksen lämpötilassa ja piirit toimivat moitteetta.
Piikarbidi sopii hienosti esimerkiksi aurinkokennojen inverttereihin ja teollisuuden lämpimiin koneisiin, mutta Venus-matkailun kannalta todellinen testi on kehittää SiC-subtraatille aktiivisia komponentteja, joilla ohjataan mönkijöitä ja ajetaan tietoliikenneyhteyksiä.
Arkansasin yliopistossa on kehitetty Vulcan II -piiri, joka koostuu täysin SiC-pohjaisista komponenteista. Piirillä (kuvassa) on rengasoskillaattori, 8-bittinen AD-muunnin, 4-bittinen muunnin, RS 485 -vastaanotin ja muita komponentteja. Kaikkiaan 500 asteessa on testattu yli 40 erilaista komponenttia.
IEEE:n artikkelissa kuvataan SiC-materiaalin erinomaisia ominaisuuksia. SiC on myös isossa roolissa ETN:n tulevassa tehoelektroniikkaan keskittyvässä ETNdigi-lehdessä, joka ilmestyy tämän viikon perjantaina. Muista tilata lehti (vaikkapa täällä) ja osallistua OnePlus 9 -puhelimen arvontaan.