Miltä kuulostaisi älypuhelin, jonka akun saisi ladattua puolilleen viidessä minuutissa? Sellaista esitellään jo Barcelonan mobiilimessuilla. Asialla on realme ja sen uusi GT Neo 3 -malli, jota voidaan ladata 150 watin teholla. Laturin elektroniikan on kehittänyt Navitas Semiconductor.
Navitas tunnetaan galliumnitridipohjaisen tehoelektroniikan pioneerina. GaN-piireillä päästään suurempaan tehotiheyteen, nopeampaan kytkentään ja pienempään kokoon kuin perinteisillä piikomponenteilla. MWC-messuilla esillä oleva 150 watin laturi on kuitenkin tähän asti nopein markkinoilla.
Dimensity 8100 -prosessorilla toimiva realme GT Neo 3 sisältää teholtaan 150-wattisen laturin, jolle valmistaja on antanut nimeksi UltraDart. Navitaksen GaNFast-virtapiirien ympärille rakennetun 150 watin laturin ansiosta käyttäjät voivat hyödyntää tätä tekniikkaa lataamalla puhelimen 4 500 milliampeeritunnin akun 50 prosenttiin vain 5 minuutissa. Laturi on mitoiltaan 58 x 58 x 30 millimetriä, joten sen tehotiheys on ennätyksellinen 1,5 wattia kuutiosenttiä kohti.
GaN-piirit toimivat jopa 20 kertaa nopeammin kuin vanhat piisirut. GaNFast-piireille on integroitu GaN-fetin lisäksi latauksen ohjaus ja suojauspiiristö.
150 watin laturit ovat kevään aikana tulossa muihinkin uusiin puhelimiin. Esimerkiksi OnePlus on kertonut tuovansa tarjolle OPPOn laboratorioissa kehitetyn 150 watin SuperVOOC-tekniikan.
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.