Samsung ilmoitti eilen osavuosikatsauksensa yhteydessä, että se aikoo aloittaa volyymituotannon 3 nanometrin prosessissa vielä toisen vuosineljänneksen aikana eli viimeistään kesäkuussa. Tämä on ensimmäinen kerta, kun mikropiirejä valmistetaan volyymeissä tällä viivanleveydellä. Samsung kutsuu prosessiaan nimellä 3GAE (3 nm-luokan gate all-around early). Se on ensimmäinen GAAFET-transistorirakenteella kaupalliseen tuotantoon viety prosessi.
Tämän hetken edistyneimmissä piireissä transistorit rakennetaan FinFET-rakenteella. Fin viittaa hainevämäiseen muotoon, jolla lähde ja nielu nousevat ylös piin pinnasta. Rakenne on ollut hallitseva 14 ja 10 nanometrin prosesseista lähtien.
10 nanometrissä rakenne alkoi jo tuottaa ongelmia jännitevuotojen takia. Rakennetta paranneltiin niin, että transistori rakennettiin nanolangoilla. Näiden avulla voitiin paremmin hallita virrankulkua hilassa. Rakennetta kutsutaan nimellä GAAFET (gate-all-around field-effect transistors).
Aiemmin on ajateltu, että myös GAAFET joutuisi ongelmiin alle viidessä nanometrissä. Siksi sekä TSMC että Samsung ovat kehittäneet MBCFET-rakenteen (Multi-Bridge Channel FET), jossa nanolangat korvataan nanokalvoilla.
Nyt siis näyttää, että Samsung siirtyy MMBCFET-rakenteeseen (näkyy oheisessa kuvassa) vasta 2 nanometrissä. Yhtiön mukaan nanokalvon leveys määrittelee transistorin ominaisuudet: leveämpi nanokalvo nostaa suorituskykyä eli transistoria voidaan ajaa suuremmalla virralla. Eri käyttötarkoituksiin nanokalvoa voidaan viritellä, haluttiin sitten pienempää virrankulutusta tai suorituskykyä.
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Murata on julkistanut maailman ensimmäisen yhteysmoduulin, joka tukee uutta SGP.32 Remote SIM Provisioning (RSP) -spesifikaatiota osana integroitua SIM-teknologiaa (iSIM). Tämä uusi ratkaisu pohjautuu Muratan innovatiiviseen Type 2GD Cat.M1/NB-IoT -yhteysmoduuliin, joka tukee ETSI/3GPP Release 17 -standardia, sekä Giesecke+Devrientin (G+D) korkeasti suojattuun SGP.32-yhteensopivaan SIM-käyttöjärjestelmään.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.