Esineiden internetiin liitetyt laitteet tarvitsevat oman muistinsa, mutta nykytekniikat tahtovat olla aivan liian tehosyöppöjä siihen. Adesto Technologies on kehittänyt uuden muistin, joka kuluttaa 10-100 kertaa nykyisiä haihtumattomia muistitekniikoita vähemmän virtaa.
Adesto kutsuu Mavriq-piiriensä takana olevaa tekniikka lyhenteellä CBRAM (Conductive Bridging RAM). Se on tiettävästi maailman ensimmäinen kaupalliseen tuotteeseen ehtinyt resistiivinen eli ReRAM-muistitekniikka.
CBRAM toimii niin, että se muodostaa johtavan linkin kahden elektrodin välillä. Mitään poispyyhintää ei tarvita, kuten flashissa. Kahden CMOS-metallikerroksen väliin rakennetaan oma patentoitu metallikerros. Suuntaamalla tähän kerrokseen virtaa ja jännitettä se muuntuu johtavaksi (resistanssi alenee).
CBRAM käyttää datankirjoitukseen alhaisempia jännitteitä kuin flash. Datankirjoitus onnistuu myös jopa 20 kertaa flashia nopeammin, Adeston mukaan kirjoitusnopeus on alle 1 mikrosekunti. Muisti tulee pitkiä aikoja toimeen paristoilla ja se voidaan virtaistaa myös kerätyllä energialla.
Yksi iso etu CBRAM-muistissa on yhteensopivuus standardin CMOS-prosessin kanssa. Sen myötä muisti myös skaalautuu pienempiin geometrioihin CMOS-kehityksen mukaisesti, kun flashilla transistorien kutistaminen on yhä vaikeampaa alle 20 nanometrin viivanleveyksissä. Valmistusprosessi vaatii vain kaksi maskikerrosta.
Lisätietoa CBRAM-tekniikasta löytyy Adeston verkkosivuilta. Adesto itse haluaa lisensoida tekniikkaansa piirienvalmistajille. Sille haetaan käyttöä erityisesti alhaisen tehonkulutuksen laitteista, kuten IoT-verkkoon kytketyistä anturisolmuista.