Hiilipohjainen grafeeni on erittäin kestävää ja erittäin hyvin sähköä johtavaa, joten sitä on tutkittu seuraavan polven puolijohdepiirien perustana. Grafeenilla on kuitenkin omia haasteitaan puolijohteena. Aalto-yliopistossa tehty tutkimustyö saattaa ratkaista näitä ongelmia.
Grafeenia kutsutaan 2D-materiaaliksi, koska se on vain yhden atomikerroksen paksuinen. Grafeenin ns. energia-aukko on kuitenkin nolla, mikä heikentää siitä valmistettujen komponenttien virran on-off-suhdetta ja rajoittaa siksi sen käyttöä puolijohdemateriaalina.
Aalto-tutkimusryhmä on Juha Riikosen johdolla onnistunut valmistamaan ominaisuuksiltaan erittäin lupaavan sähköä johtavan komponentin yhdistämällä grafeenin ja toisen 2D-materiaalin, gallium-seleenin, tavalla, jota puolijohdevalmistuksessa kutsutaan heteroliitokseksi (hetero junction). Tulokset julkaistiin äskettäin Advanced Materials -tiedejulkaisussa.
– Tämä on ensimmäinen kerta, kun gallium-seleeniä käytetään grafeenin kanssa puolijohdemateriaalien heteroliitoksissa, kertoo Riikonen.
Heteroliitokset ovat olennainen osa puolijohdeteollisuutta. Aikaisemmissa tutkimuksissa grafeeniin yhdistetyt 2D-rakenteet on pitänyt valmistaa manuaalisesti, kerros kerrokselta, mikä on tehnyt prosessista hitaan, haastavan ja vaikeasti skaalattavan. Uusi komponenttirakenne mahdollistaa työlään käsityövaiheen korvaamisen puolijohdeteollisuudesta tutuilla valmistusmenetelmillä.
Tutkija Wonjae Kimim mukaan uuden, yksinkertaisemman valmistustavan lisäksi komponentti on myös ominaisuuksiltaan erinomainen. Esimerkiksi sen elektroniikan kannalta olennainen on-off-suhde on jopa 10³, mikä osoittaa sekä materiaaliyhdistelmän että rakenteen toimivuuden.
Läpinäkyvyys ja äärimäisen ohuuden tuoma taipuisuus avaavat myös elektroniikan kehittämiseen aivan uusia mahdollisuuksia. Kimin mukaan ne voisivat soveltua esimerkiksi puettavaan elektroniikkaan ja niitä voitaisiin yhdistää silmälaseihin ja ikkunoihin. Lisäksi komponentti sopii hyvin erilaisiin antureihin.