Sulautettu laite tarvitsee neljä gigatavua flash-muistia, mutta valmistaja ei enää löydä sopivaa 4 gigatavun eMMC-piiriä. Edessä voi olla siirtyminen selvästi suurempaan ja kalliimpaan komponenttiin – ja samalla maksaminen gigatavuista, joita laite ei koskaan tarvitse. Espoolainen Tuxera tarjoaa ongelmaan ohjelmistopohjaista ratkaisua.
NAND-flashien hintojen nousu ja tarjonnan kiristyminen näkyvät sulautetuissa järjestelmissä muutenkin kuin komponenttien kallistumisena. Pienten eMMC-muistien valikoiman kaventuessa esimerkiksi auton ohjainlaitteen, älymittarin tai teollisuuslaitteen valmistaja voi joutua valitsemaan tarpeettoman suuren muistin.
Tuxeran mukaan ongelmaa voidaan kiertää siirtymällä hallitusta flash-muistista, kuten eMMC:stä, raakaan NAND-muistiin. Yhtiön FlashFX Tera -ohjelmisto siirtää NAND-muistin hallinnan ohjelmistoon, jolloin laitevalmistaja voi valita kapasiteetin ja muistipiirien toimittajan nykyistä vapaammin.
Raw NANDissa järjestelmän on itse huolehdittava tehtävistä, jotka eMMC-piiri hoitaa sisäisesti. Näihin kuuluvat muun muassa virheenkorjaus, viallisten muistilohkojen hallinta ja kulumisen tasaus. Tuxeran ohjelmisto tarjoaa nämä toiminnot sulautettuun järjestelmään.
Ratkaisun etuna on myös mahdollisuus vaihtaa muistipiiriä komponentin saatavuuden muuttuessa tai sen poistuessa tuotannosta ilman, että koko tallennusarkkitehtuuri täytyy suunnitella uudelleen. Tämä voi olla merkittävä etu esimerkiksi autoissa, teollisuuslaitteissa ja lääkintälaitteissa, joiden tuotanto- ja elinkaaret ovat pitkiä.
– Valmistajat eivät voi hallita NANDin hintoja, komponenttien saatavuutta tai toimittajien tuotesuunnitelmia, mutta ne voivat rakentaa enemmän joustavuutta siihen, miten flash-muistia käytetään, Tuxeran toimitusjohtaja Steffan Schumacher sanoo.
Tuxera on samalla julkaissut Flash Cost Calculator -laskurin, jolla laitevalmistaja voi arvioida siirtymisen taloudellisia vaikutuksia. Laskuriin syötetään tarvittava tallennuskapasiteetti, vuosittainen tuotantomäärä, tuotteen valmistusvuodet ja muistien hinnat. Sen perusteella voidaan arvioida, kuinka paljon ylimitoitetun hallitun flash-muistin korvaaminen sopivan kokoisella raw NANDilla voisi säästää.
Seitsemännen sukupolven IGBT-teknologia nostaa tehomoduulien suorituskykyä usealla rintamalla. IGBT7 pienentää häviöitä, kasvattaa virtakapasiteettia ja kestää ylikuormituksessa jopa 175 asteen liitoslämpötilan. Yhdessä matalainduktanssisten koteloiden kanssa tämä mahdollistaa aiempaa suuremman tehotiheyden, paremman hyötysuhteen ja pienemmät järjestelmäkustannukset.
