Hiilinanoputkiin perustuva uusi NRAM-muisti lupaa paljon. Se on yhtä nopea kuin DRAM-muisti, mutta flashin tapaan haihtumaton. Kännyköissä käytettäviin flash-muisteihin verrattuna NRAM on satoja kertoja nopeampi. Nyt tekniikan kehittänyt Nantero lupaa, että muistit tulevat markkinoille tänä vuonna.
NRAMin takana on Nantero, joka on kehittänyt hiilinanoputkia jo 14 vuoden ajan. Yhtiön mukaan tekniikan ensimmäinen lisensoija Fujitsu Microelectronics on pian saamassa piirejä tuotantoon.
NRAMin edut ovat merkittäviä. Sitä voidaan valmistaa perinteisissä CMOS-tehtaissa. Parin nanometrin kokoiset hiilinanoputket skaalautuvat helposti alle 5 nanometrin kokoon, mikä tulee esimerkiksi NAND-flashille olemaan erittäin haastavaa.
NRAM myös kestää merkittävästi enemmän kirjoitusjaksoja kuin flash. Datan luvataan kestävän muistissa yli tuhat vuotta 85 asteen lämpötilassa. Vielä 300 asteessa bitit säilyvät yli 10 vuotta.
Ennen kaikkea NRAM on hyvin vähävirtainen muisti. Valmiustilassa tehoa ei käytännössä kulu ollenkaan ja dataa kirjoitettaessa tehonkulutus on 160 kertaa pienempi kuin NAND-flasheissa.