IBM kertoo valmistaneensa maailman ensimmäisen 2 nanometrin prosessissa toteutetun mikropiirin. Tekniikan avulla on jatkossa mahdollista valmistaa kynnen kokoisia mikropiirejä, joilla on jopa 50 miljardia transistoria. Piirit on kehitetty IBM:n tutkimuslaitoksessa New Yorkin Albanyssä.
Tämän hetken 7 nanometrin piireihin verrattuna IBM:n prosessi tuottaa 45 prosenttia tehokkaampia piirejä. Toimiakseen ne kuluttavat 75 prosenttia vähemmän energiaa.
IBM kertoo käyttäneensä piirien valmistukseen nanolevy-tekniikkaa (nanosheet technology). Tämä viittaa transistorirakenteeseen, jota on kutsuttu nimellä GAA eli gate-all-around.
GAA-rakenteen tärkein idea on se, että siinä hila ympäröi kanavaa kokonaan. Samsung sanoo siirtyvänsä samaan rakenteeseen 2 nanometrin prosessissa, mutta TSMC on tuomassa rakennetta jo 3 nanometrin piireihin.
Tällä hetkellä edistyneimmissä mobiiliprosessoreissa on jo siirrytty 5 nanometrin prosessiin. Apple on useiden tietojen mukaan varannut valtaosan TSMC:n 5 nanometrin valmistuskapasiteetista seuraavan polven läppäriensä M2-piirien sekä iPhone-puhelimien prosessorien valmistukseen.
5 nanometrin viivanleveydellä yhdelle neliömillimetrille saadaan ahdettua 171 miljoonaa transistoria. Kahdessa nanometrissä transistoritiheys kasvaa lukemaan 333 miljoonaa/mm2.
IBM:n mukaan 2 nanometrin prosessin tuoma energiatehokkuus voisi tarkoittaa esimerkiksi sitä, että matkapuhelimen akku pitäisi ladata vain joka neljäs päivä. Datakeskukset kuluttavat nyt noin prosentin maailman energiasta, joten niiden suorittimien vaihtaminen 2 nanometrin piireihin pienentäisi datan aiheuttamia ilmastopäästöjä merkittävästi.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.