IBM kertoo valmistaneensa maailman ensimmäisen 2 nanometrin prosessissa toteutetun mikropiirin. Tekniikan avulla on jatkossa mahdollista valmistaa kynnen kokoisia mikropiirejä, joilla on jopa 50 miljardia transistoria. Piirit on kehitetty IBM:n tutkimuslaitoksessa New Yorkin Albanyssä.
Tämän hetken 7 nanometrin piireihin verrattuna IBM:n prosessi tuottaa 45 prosenttia tehokkaampia piirejä. Toimiakseen ne kuluttavat 75 prosenttia vähemmän energiaa.
IBM kertoo käyttäneensä piirien valmistukseen nanolevy-tekniikkaa (nanosheet technology). Tämä viittaa transistorirakenteeseen, jota on kutsuttu nimellä GAA eli gate-all-around.
GAA-rakenteen tärkein idea on se, että siinä hila ympäröi kanavaa kokonaan. Samsung sanoo siirtyvänsä samaan rakenteeseen 2 nanometrin prosessissa, mutta TSMC on tuomassa rakennetta jo 3 nanometrin piireihin.
Tällä hetkellä edistyneimmissä mobiiliprosessoreissa on jo siirrytty 5 nanometrin prosessiin. Apple on useiden tietojen mukaan varannut valtaosan TSMC:n 5 nanometrin valmistuskapasiteetista seuraavan polven läppäriensä M2-piirien sekä iPhone-puhelimien prosessorien valmistukseen.
5 nanometrin viivanleveydellä yhdelle neliömillimetrille saadaan ahdettua 171 miljoonaa transistoria. Kahdessa nanometrissä transistoritiheys kasvaa lukemaan 333 miljoonaa/mm2.
IBM:n mukaan 2 nanometrin prosessin tuoma energiatehokkuus voisi tarkoittaa esimerkiksi sitä, että matkapuhelimen akku pitäisi ladata vain joka neljäs päivä. Datakeskukset kuluttavat nyt noin prosentin maailman energiasta, joten niiden suorittimien vaihtaminen 2 nanometrin piireihin pienentäisi datan aiheuttamia ilmastopäästöjä merkittävästi.